Defect-Induced Luminescence Quenching of 4H-SiC Single Crystal Grown by PVT Method through a Control of Incorporated Impurity Concentration

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

Luminescence and scintillation characterization of Silver doped KCl single crystal grown by Czochralski technique for photonic applications

In this study, the scintillation and optical properties of pure and silver doped potassium chloride (KCl:Ag) single crystals were reported. Pure and doped KCl bulk single crystals with a good optical quality and free from cracks were grown from the melt using Czochralski technique. Different analysis methods were used to study the optical and scintillation properties of the grown crystals. The ...

solution of security constrained unit commitment problem by a new multi-objective optimization method

چکیده-پخش بار بهینه به عنوان یکی از ابزار زیر بنایی برای تحلیل سیستم های قدرت پیچیده ،برای مدت طولانی مورد بررسی قرار گرفته است.پخش بار بهینه توابع هدف یک سیستم قدرت از جمله تابع هزینه سوخت ،آلودگی ،تلفات را بهینه می کند،و هم زمان قیود سیستم قدرت را نیز برآورده می کند.در کلی ترین حالتopf یک مساله بهینه سازی غیر خطی ،غیر محدب،مقیاس بزرگ،و ایستا می باشد که می تواند شامل متغیرهای کنترلی پیوسته و گ...

Title Shallow optically active structural defect in wurtzite GaN epilayers grown on stepped 4H-SiC substrates

Shallow optically active structural defect in wurtzite GaN epilayers grown on stepped 4H-SiC substrates

A number of wurtzite GaN epilayers directly grown on 4H-SiC ~0001! misoriented by 0, 3.5°, 5°, 8°, and 21° with plasma-assisted molecular-beam epitaxy were optically characterized with photoluminescence and excitation spectra. An intense shallow-defect emission peak locating at energy position ;70 meV lower than the near band edge emission peak at 3.47 eV is found in the emission spectra of the...