Analysis of Drain-Induced Barrier Rising in Short-Channel Negative-Capacitance FETs and Its Applications
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
BIPOLAR CONDUCTION and DRAIN-INDUCED BARRIER THINNING in CARBON NANOTUBE FETs
The drain current-voltage (I-V) characteristics of Schottky-barrier carbon nanotube FETs are computed via a self-consistent solution to the 2-D potential profile, the electron and hole charges in the nanotube, and the electron and hole currents. These out-of-equilibrium results are obtained by allowing splitting of both the electron and hole quasi-Fermi levels to occur at the source and drain c...
متن کاملthe stady and analysis of rice agroclimatology in lenjan
the west of esfahan province, iran, is one of the most important agricultural areas throughout the country due to the climate variability and life-giving water of zayanderood river. rice is one of the major and economic crops in this area. the most important climatic elements in agricultural activities which should be considered include temperature, relative humidity, precipitation and wind. so...
15 صفحه اولthe analysis of the role of the speech acts theory in translating and dubbing hollywood films
از محوری ترین اثراتی که یک فیلم سینمایی ایجاد می کند دیالوگ هایی است که هنرپیش گان فیلم میگویند. به زعم یک فیلم ساز, یک شیوه متأثر نمودن مخاطب از اثر منظوره نیروی گفتارهای گوینده, مثل نیروی عاطفی, ترس آور, غم انگیز, هیجان انگیز و غیره, است. این مطالعه به بررسی این مسأله مبادرت کرده است که آیا نیروی فراگفتاری هنرپیش گان به مثابه ی اعمال گفتاری در پنج فیلم هالیوودی در نسخه های دوبله شده باز تولید...
15 صفحه اولa contrastive analysis of concord and head parameter in english and azerbaijani
این پایان نامه به بررسی و مقایسه دو موضوع مطابقه میان فعل و فاعل (از نظر شخص و مشار) و هسته عبارت در دو زبان انگلیسی و آذربایجانی می پردازد. اول رابطه دستوری مطابقه مورد بررسی قرار می گیرد. مطابقه به این معناست که فعل مفرد به همراه فاعل مفرد و فعل جمع به همراه فاعل جمع می آید. در انگلیسی تمام افعال، بجز فعل بودن (to be) از نظر شمار با فاعلشان فقط در سوم شخص مفرد و در زمان حال مطابقت نشان میدهند...
15 صفحه اولSub-kT/q Switching in Strong Inversion in PbZr0.52Ti0.48O3 Gated Negative Capacitance FETs
Hysteretic switching with a sub-kT/q steep slope (13 mV/decade at room temperature) is experimentally demonstrated in MOSFETs with PbZr0.52 Ti0.48O3 as a ferroelectric (FE) gate insulator, integrated on a silicon channel with a nonperovskite high-k dielectric (HfO2 ) as a buffer interlayer. The steep switching is independent of drain bias. For the first time, sub-kT/q switching due to FE negati...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Electron Devices
سال: 2017
ISSN: 0018-9383,1557-9646
DOI: 10.1109/ted.2017.2658673