A Chebyshev Transformer-Based Microstri-to-Groove-Gap-Waveguide Inline Transition for MMIC Packaging

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Groove Gap Waveguide (GGW) H-plane Horn ‎Antenna and a Method for Its Back lobe ‎Suppression

recently a new structure called groove gap waveguide (GGW) is ‎introduced to implement low loss microwave component devices ‎especially for millimeter wave applications. This paper presents a ‎new type of H-plane horn antenna making use of this new technology ‎in which backward radiation is significantly suppressed by ‎introducing a high impedance surface at the antenna aperture. The ‎high impe...

متن کامل

a new type-ii fuzzy logic based controller for non-linear dynamical systems with application to 3-psp parallel robot

abstract type-ii fuzzy logic has shown its superiority over traditional fuzzy logic when dealing with uncertainty. type-ii fuzzy logic controllers are however newer and more promising approaches that have been recently applied to various fields due to their significant contribution especially when the noise (as an important instance of uncertainty) emerges. during the design of type- i fuz...

15 صفحه اول

a new approach to credibility premium for zero-inflated poisson models for panel data

هدف اصلی از این تحقیق به دست آوردن و مقایسه حق بیمه باورمندی در مدل های شمارشی گزارش نشده برای داده های طولی می باشد. در این تحقیق حق بیمه های پبش گویی بر اساس توابع ضرر مربع خطا و نمایی محاسبه شده و با هم مقایسه می شود. تمایل به گرفتن پاداش و جایزه یکی از دلایل مهم برای گزارش ندادن تصادفات می باشد و افراد برای استفاده از تخفیف اغلب از گزارش تصادفات با هزینه پائین خودداری می کنند، در این تحقیق ...

15 صفحه اول

A 1-8GHz Gallium Nitride Distributed Power Amplifier MMIC Utilizing a Trifilar Transformer

This paper describes the design and measured performance of a 1-8GHz power amplifier MMIC fabricated with a 0.15um Gallium Nitride (GaN) process technology. The process features a 100um thick Silicon Carbide (SiC) substrate and compact transistor layouts with individual source grounding vias (ISV). The design utilizes a non-uniform distributed power amplifier (NDPA) topology with a novel trifil...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology

سال: 2019

ISSN: 2156-3950,2156-3985

DOI: 10.1109/tcpmt.2019.2904430