کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک های اضافی و کاهش میدان سطحی برای افزایش ولتاژ شکست استفاده شده است. یکی از مهمترین پارامترها برای تعیین ولتاژ شکست افزاره های soi جنس ماده عایق می باشد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد هر چه ضریب دی الکتریک عایق مدفون شده بیشتر باشد ولتاژ شکست کاهش بیشتری پیدا می نماید. تغییر مکانیزم شکست، روش پیشنهادی برای افزایش ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت می باشد. در این روش با استفاده از یک لایه اکسید مدفون شده، شکست گیت به شکست کانال تبدیل شده است.