عبارتی تحلیلی برای قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی خطی نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزیگ برحسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است.محاسبات عددی نشان می دهد که شدت و موقعیت پیک های پذیرفتاری اپتیکی وابسته به ثابت پهن شدگی و تکانه ی زاویه ای در امتداد جهت سمتی است. کاهش ثابت پهن شدگی منجر به افزایش موقعیت پیک های تشدید در قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی می شودو با افزایش تکانه ی زاویه ای کوانتیده موقعیت پیک های قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی شیفت پیدا می کند. همچنین عبارتی تحلیلی برای مولفه ی y عناصر ماتریسی دو قطبی میان انتقال نوارهای ظرفیت و رسانش برای نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزاگ بدست آورده شده است و بااستفاده از عناصر ماتریسی ثابت جذب برای نانولوله های تک دیواره ی زیگزاگ بر حسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که ثابت جذب اپتیکی نانولوله های تک دیواره ی زیگزاگ وابسته به قطر نانولوله ها و تکانه ی زاویه ای است. افزایش قطر نانولوله منجر به افزایش پیک های تشدید جذب اپتیکی نانولوله ها می شود. خمچنین با افزایش تکانه ی زاویه ای مکان پیک های ثابت جذب شیفت می یابد.