رشد رونشستی از فاز مایع روشی است که برای ساختن ادوات الکترونیکی و لیزری نیمه هادی بطور وسیعی از آن استفاده می شود. در این پایان نامه، لایه های نازک gaas/algaas روی یک زیر لایه n-gaas با جهتمندی (100) با روش lpe رشد داده شده اند که این لایه های نازک دارای مشخصات زیر هستند: لایه اول) n-gaas:te به ضخامت 4 تا 6 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 18 cm-3 لایه دوم) n-al0.4ga0.6as:sn به ضخامت 5/1 تا 5/2 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 16cm-3 لایه سوم) gaas به ضخامت تقریبی 1/0 میکرون و بدون آلاینده لایه چهارم) p-al0.4ga0.6as:ge به ضخامت 5/1 تا5/2 و تراکم آلاینده p=3x10 17cm-3 لایه پنجم) p-gaas:ge به ضخامت 2 تا 3 میکرون و تراکم آلاینده p=4x10 18cm-3 تهیه شد. پس از رشد لایه ها ضخامت و یکنواختی لایه گذاری بوسیله میکروسکوپ نوری مورد بررسی قرار گرفت همچنین بوسیله دستگاه sims عناصر تشکیل دهنده در هر لایه مورد بررسی قرار گرفت. بر اساس اطلاعات بدست آمده از دستگاه sims تغییرات al,as,ga که عناصر تشکیل دهندهنیکه هادی algaas, gaas را تشکیل می دهند به دقت اندازه گیری شدند همچنین چگالی ناخالصی های ge,sn,te وتغییرات دانسیته بر حسب عمق نفوذ کاملا نشان میدان که میزان بهینه هر کدام از ناخالصی ها در چه حدودی بایستی باشد.