تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خرابی esd ، یک مدار حفاظت esd می بایست در مدارهای rf پیش بینی شود . با توجه به اینکه مدارهای rf در فرکانس بالاتری کار می کنند ، اثرات پارازیتی ناشی از مدار حفاظت esd می بایست کاملاً محدود شده باشد . ، این طراحی به طوری صورت گرفته که کمترین اثر را در عملکرد طبیعی مدار داشته باشد . همچین ایده حذف بخش مهار کننده توان esd که بخشی از مجموعه حفاظت esd می باشد نوآوری این طراحی است به طوری که این بخش در تمامی کارهای پیشین این بخش موجود است اما در این طراحی بدون ایجاد اختلالی این بخش از مدار حذف شده است ،این امر موجب کاهش حجم و پیچیدگی مدار و در نهایت صرفه جویی در هزینه ساخت و تولید این محصول می شود