چکیده خواص منحصر به فرد نیمه هادی ها به وسیله ی شکل و اندازه ی آنها کنترل می شود. بنابراین، انتخاب یک روش مناسب و ساده برای تهیه ی آنها با اندازه و شکل های متفاوت می تواند بسیار حائز اهمیت باشد. نیمه هادیهای se و te به ترتیب باندگپ برابر ev 7/1 و 35/0 دارند که در رنج مناسب برای جذب طول موج های خورشید قرار دارند و بنابراین از معروف ترین ترکیبات برای کاربردهای فوتوولتائیک هستند. به این دلیل، در این پروژه ساخت نانوساحتارهای se و te با استفاده از روش های شیمیایی انتخاب شد. در این بررسی سعی شد از پیش ماده های جدید استفاده شود. همچنین اثر پارامترهای مختلف مانند توان و زمان مایکروویو و التراسونیک، سورفکتانت، غلظت و حلال بر اندازه و مورفولوژی نانوساختارها بررسی شد. محصولات به دست آمده توسط پراکندگی اشعه ی x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem)، اشعه ی ماوراءبنفش-مرئی (uv-vis)، فوتولومینسانس (pl) و تفرق انرژی اشعه ی ایکس (edx) شناسایی شدند. نتایج نشان دهنده ی سنتز نانوساختارهایی با اندازه ی کوچک و اشکال متنوع بود که قابلیت بالقوه برای کاربردهای متفاوت را دارا هستند. با روش الکتروفورز و دکتر-بلید لایه ی نازکی از نانوساختارهای تهیه شده فراهم گردید و سلول خورشیدی از لایه های شیشه-fto/ نیمه رسانای نوع /p نیمه رسانای نوع n/پلاتین/ fto-شیشه ساخته شد. در پایان، مشخصه ی این سلول ها مورد محاسبه قرار گرفت و رفتار لایه های نازک تهیه شده از نانوساختارها، در سلول های خورشیدی مورد مطالعه قرار گرفت.