ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک پذیری حامل های آزاد دو بعدی افزایش می یابد. چگالی سطحی گاز حامل دو بعدی به پارامترهای ساختار مثلاٌ ضخامت لایه جداگر، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی، ضخامت لایه پوششی و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دور آلاییده دریچه دار با تغییر ولتاژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره ای یا الکترونی قابل کنترل می باشد. یکی از سازوکار هایی که در دماهای پایین موجب پراکندگی می شود، پراکندگی آلیاژی است که به دلیل آلیاژی بودن لایه کانال ساختار دور آلاییده سبب کاهش تحرک پذیری می شود. ساختارsige، si/sige/si آلیاژ می باشد و ساختارgaas،algaas/gaas/algaas غیرآلیاژی است، نفوذ al بر اثر پدیده واماندگی به درون کانال باعث آلیاژی شدن لایه کانال گردیده و پراکندگی آلیاژی را در این گونه ساختارها نیز مشاهده می کنیم. در این پایان نامه، پراکندگی آلیاژی و عوامل موثر در این نوع پراکندگی مانند پتانسیل آلیاژی و درصد آلیاژی و اثر پراکندگی کولنی ناشی از ناخالصی های یونیده دور و ناخالصی های باردار زمینه بر تحرک پذیری گاز الکترونی یا حفره ای دو بعدی2deg/2dhg حامل در ساختارهای دور آلاییده si/sige و algaas/gaas به طور نظری محاسبه شده اند.