تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شود. همچنین با اندازه گیری تغییرات ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل بر حسب فرکانس، تغییرات برخی پارامترهای مهم از قبیل ضریب گذردهی، رسانندگی الکتریکی ،ضریب شکست و درصد تخلخل برحسب فرکانس اعمال شده بر این ماده در مدار طراحی شده بررسی شدند. در این بررسی ها مشخص شد که عوامل زیادی بر رفتارهای دی الکتریکی سیلیکان متخلخل تأثیر می گذارند که یکی از مهم ترین و مؤثر ترین این عوامل به ساختار هندسه فراکتالی این ماده بر می گردد.