لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر در خلاء لایه¬نشانی شدند. برای مطالعه مورفولوژی، اندازه دانه¬ها، ساختار لایه¬ها و شفافیت لایه¬ها از آنالیزهای afm,xrd stm, و اسپکتروفوتومتری استفاده شد. طیف پراش اشعه x نشان داد که لایه¬های zns تهیه شده در دمای ℃25 در ضخامت nm100 دارای ساختار هگزاگونال با جهت رشد ترجیحی(002) و در ضخامتnm500 دارای ساختار مکعبی با جهت ترجیحی(111) هستند. با افزایش دمای زیر لایه تا ℃200 ماده ساختار مکعبی خود را حفظ کرد. گاف انرژی این لایه¬ها با افزایش دمای زیرلایه یا کاهش ضخامت لایه¬ها، کاهش می¬یابد. بطوریکه با افزایش ضخامت از nm100 تا nm600 گاف انرژی از ev98/3 تاev 56/3 کاهش می¬¬یابد.