در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شده است. مقاومت های پارازیتی سورس و درین نیز در مدل گنجانده شده اند. بعلاوه وابستگی قابلیت تحرک الکترون در میدان های پایین به ولتاژ گیت و مدل مناسب برای سرعت نفوذ در نظر گرفته شده است تا معادلاتی دقیق و ساده برای مشخصه های مختلف ادوات مادفت algan/gan بدست آید. با پیاده سازی مدل در نرم افزار matlab مشخصه هایی نظیر منحنی های جریان-ولتاژ، هدایت انتقالی، هدایت خروجی و ظرفیت خازنی گیت و درین و همچنین فرکانس قطع بدست آورده شده اند. نتایج بدست آمده از مدل تحلیلی تطابق خوبی با نتایج گزارش شده از al0.15ga0.85n دارند که به مدل اعتبار می بخشند.