لایه نازک اکسید ایندیوم (in2o3) دو ویژگی تراگسیل نوری و رسانندگی الکتریکی را به طور همزمان دارا می باشد. با اضافه کردن ناخالصی قلع، لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده به قلع (ito) به دست می آید که خواص فیزیکی آن بسته به روش ساخت بهینه می شود. امروزه برای دستیابی به خواص مطلوب، افزایش درصد کمی ناخالصی فلزی به لایه های نازک ito مورد توجه قرار گرفته است. در این پروژه افزایش لایه میانی نقره با ضخامت تقریبی 10 نانومتر به لایه اکسید ایندیوم آلاییده به قلع مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. به همین منظور لایه های نازک ito تک لایه به ضخامت 100 نانومتر و لایه های ito/ag/ito به ترتیب از راست به چپ به ضخامت 50/10/40 نانومتر ساخته شدند. نمونه ها به روش تبخیر حرارتی واکنشی، در دمای اتاق و روی بسترهای شیشه ای جایگذاری شدند. سپس نمونه ها در هوا به مدت یک ساعت در دماهای 300 تا 540 درجه سانتی گراد مورد بازپخت قرار گرفتند. در پایان نمونه های ساخته شده به وسیله دستگاه های پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج فرابنفش-مرئی، پروب چهار نقطه و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مورد ارزیابی و مشخصه یابی قرار گرفتند. نتایج حاصل نشان داد که پس از بازپخت، نمونه ها به صورت بلوری درآمدند و تراگسیل آن ها افزایش یافت. تصاویر شان داد که پس از بازپخت، نمونه ها به شکل دانه ای درآمده اند. مشاهده شد که در اثر افزایش نانو ذرات نقره رسانندگی تا اندازه زیادی بهبود یافت.