پیشرفت سریع سیستم های الکترونیکی و ارتباط از راه دور و نیز استفاده روزافزون از امواج الکترومغناطیسی، مشکلاتی را در امور نظامی و ارتباطی (خصوصاً در ناحیه میکروویو) به وجود آورده است. لذا استفاده از جاذب های امواج بمنظور حفاظت از سیستم های الکترونیکی نظیر سیستم های موبایل در برابر اغتشاشات امواج الکترومغناطیسی، استتار تجهیزات جنگی از دید رادار دشمن و حفاظت از خطرات احتمالی جذب این امواج در بدن امری اجتناب ناپذیراست. مطالعات در مورد توسعه مواد جاذب امواج رادار در امور نظامی در گستره 12-8 گیگاهرتز انجام می شود. در این پروژه هدف اصلی تهیه جاذب های امواج میکروویو می باشد. بر همین اساس، در این کار پژوهشی، روکش های پلی آنیلین/اپوکسی، پلی انیلین/اپوکسی-پلی یورتان، tio2/اپوکسی و پلی آنیلین/کوپلیمر(بوتیل آکریلات-وینیل استات) با درصد های مختلف پرکننده سنتز شدند. از پلیمرهای مهندسی اپوکسی، اپوکسی/پلی یورتان و کوپلیمر(وینیل استات- بوتیل آکریلات) به عنوان پلیمر های دی الکتریک و از پلی آنیلین و tio2 به عنوان پرکننده استفاده شده و دارای ثابت دی الکتریک بسیار بالایی می باشند. میزان ثابت دی الکتریک مختلط ( ) و جذب نمونه در گستره باند ایکس با استفاده از روش خطوط انعکاسی/ عبوری (tr) اندازه گیری گردید. روکش پلی آنیلین/ اپوکسی در ضخامت 3 میلیمتر و غلظت 15 وزنی از پلی آنیلین دارای انعکاس اتلافی برابر با db4/ 19- در فرکانس 1/10 گیگا هرتز ( جذبی تقریبا برابر با 99 ?) بود. روکش پلی آنیلین/ اپوکسی -پلی یورتان در ضخامت 3 میلیمتر و غلظت 15 وزنی از پلی آنیلین، انعکاس اتلافی برابر با db 1/23- ( جذبی تقریبا برابر با 5/99 ) از خود نشان داد. روکش tio2/ اپوکسی در ضخامت 3 میلیمتر و غلظت 15? وزنی از پلی آنیلین دارای انعکاس اتلافی برابر با db 5/17- ( جذبی تقریبا برابر با 2/ 98 ?) بود. روکش پلی آنیلین/ کوپلیمر(بوتیل آکریلات - وینیل استات) در ضخامت تقریبی 100 میکرومتر و غلظت 6/0 درصد وزنی از پلی آنیلین پهنای باندی برابر با 3 گیگا هرتز و انعکاس اتلافی برابر با db 5/13- ( جذبی تقریبا برابر با 95 ?) را از خود نشان داد. خواص مکانیکی روکش های سنتز شده از قبیل خواص چسبندگی، سختی، خراش، خوردگی و دانسیته نیز مورد بررسی قرار گرفت. .نتایج حاصل از بررسی نشان داد که در جاذب های رزونانسی، با افزایش محتوای پلی آنیلین و tio2میزان جذب امواج الکترومغناطیسی در ناحیه میکروویو نیز بهبود می یابد. از کامپوزیت های حاصله می توان در سپرسازی امواج الکترومغناطیسی و به عنوان روکش در تجهیزات نظامی برای کاهش سطح مقطع راداری استفاده کرد.

308 که یک فولاد مناسب برای جوش زدن فولاد 304 و l رفتار خوردگی فولاد آستنیتی نوع بعضی دیگر از فولادها است در محیطهای گلیاکسیلیک اسید، اگزالیک اسید، اتیلن گلیکول وnoنیتریک اسید و همچنین در محلول مخلوط حاوی تمام این مواد در حضور و عدم حضور گاز 2 بررسی و با هم مقایسه شد. این الکترود در محیط گلی اکسیلیک اسید کمترین و در محیط محلول بیشترین سرعت خوردگی را دارد. نمودارهای پلاریزاسیون no مخلوط اشباع از گاز 2 پتاتسیوداینامیک در محیط محلول مخلوط بروز خوردگی حفرهدار شدن شبهپایدار را نشان میدهد. نتایج بدست آمده از روش طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی نتایج روش پتانسیوداینامیک را تایید میکنند. مدار معادل الکتریکی توصیف کننده رفتار خوردگی الکترود کار در محیط نیتریک اسید، گلی اکسیلیک اسید و اگزالیک اسید یک ثابت زمانی دارد ولی مدار معادل الکتریکی در سایر محیطها دو ثابت زمانی نشان میدهند. الکترود کار در محیط گلیاکسیلیک اسید بیشترین مقاومت پلاریزاسیون و بنابراین کمترین سرعت خوردگی را نشان میدهد. نمودار پوربه تجربی برای این الکترود در محیط گلیاکسیلیک به کمک روش پلاریزاسیون چرخهای رسم شد و با استفاده از از الکترود وارد محلول میشوند شناسایی و غلظت ph تکنیک جذب اتمی نوع یونهایی که در هر به طور مرتب افزایش مییابد ولی پتانسیل حفاظت و همچنین پتانسیل رویین شدگی تا ph=7 آنها بدست آمد. پتانسیل خوردگی در این محیط با افزایش افزایش و سپس کاهش مییابد.

اندازه گیری دقیق ناهمواری سطح دارای اهمیت اساسی بخصوص در مهندسی دقیق و صنایع کارخانه ای برخوردار است. ناهمواری سطح معمولاً بوسیله پروفایل سنجهای سوزنی مکانیکی انجام می شود. در هر حال روش کم دردسر اندازه گیری ناهمواری سطح با استفاده از سوزنهای مکانیکی می تواند سبب تغییر شکل یا آسیب روی سطح نمونه شود و از نظر عقلانی یک روش اندازه گیری زمانبر است. روشهای غیر تماسی، مثل انواع اپتیکی این مزیت را دارند که می توانند برای اندازه گیری فرایند ناهمواری سطح استفاده بشوند. در این پایان نامه نتایج اندازه گیری ناهمواری سطح با استفاده از تکنیک همبستگی لکه ای برای یک سطح آلومینیومی و روش تباین روی یک فیلم پلیمری گزارش می شود.

در این پروژه خواص اپتیک غیرخطی تعدادی از بلورهای مایع نماتیک آلاییده بارنگینه مطالعه شده است. یکی از اهداف اصلی توسعه بلورهای مایع و رنگینه های جدید، مطالعه بر روی پارامترهای فیزیکی آنها برای بهبود و توسعه عملکرد انها، کاربردهای موجود و جستجوی کاربردهای جدید می باشد. علاوه بر بزرگ بودن غیرخطیت نور القایی در بلورهای مایع، با استفاده از یک میدان الکتریکی یا مغناطیسی با قدرت کم، این خواص نوری براحتی قابل کنترل است. خواص اساسی بلورهای مایع از جمله دماهای گذار فاز، چسبندگی و غیره می تواند با مخلوط آنها با یکدیگر تغییر یابد. و این ویژگیهای بلورهای مایع است که آنها را به عنوان موادی مناسب برای کاربردهای زیادی از جمله، نمایشگرها، ذخیره کننده های نوری وغیره معرفی کرده است. هرچند که بلورهای مایع اساساً موادی با خاصیت غیرخطی بالا هستند، با وجود این پاسخ جهت گیری مجدد مولکولی در بلورهای مایع با افزودن مقدار کمی از یک رنگینه دو رنگ و جاذب نور، با ضریب بزرگی تقویت می شود. افزایش غیرخطیت بلورهای مایع در حضور رنگینه از این واقعیت نشأت می گیرد که در این حالت علاوه بر اثر گشتاور اپتیکی، جهت گیری مجدد بردار راهنما با مشارکت یک گشتاور دیگر بنام گشتاور رنگینه القایی انجام می گیرد. با به حساب آوردن توزیع فضایی شدت پرتو نوری، ضریب شکستی که توسط پرتو نور در داخل ماده تجربه می شود تابع شدت آن خواهد بود. ضریب شکست وابسته به شدت، محیط را به یک عدسی غیرخطی تبدیل می کند و باعث می شود که ضریب شکست و در نتیجه سرعت انتشار نور در قسمتهای مختلف پرتو متفاوت شده و منجر به پدیدهای خود- کانونی یا خودواکانونی شود. در این پروژه، برای مطالعه خواص اپتیک غیرخطی بلورهای مایع آلاییده با رنگینه، برای تعیین اندازه و علامت ضریب شکست و ضریب جذب غیرخطی بلورهای مایع آلاییده با رنگینه از روش ساده جاروب zاستفاده شده است. مطالب پایان نامه در سه فصل به صورت زیر طبقه بندی شده است: در فصل اول مقدمه ای بر معرفی و تاریخچه بلورهای مایع و همچنین برخی منابع و کارهایی که از قبل انجام شده است آورده شده است. در فصل دوم مواد و روشهای تجربی مورد استفاده برای انجام پروژه آورده شده است و در فصل دوم نتایج تجربی به همراه بحث و نتیجه گیری آورده شده است.

بلورهای مایع به دلیل دوشکستی و امکان باز جهت گیری محور دو شکستی بوسیله ی میدان های خارجی نسبتاً ضعیف، در اپتوالکترونیک به شدت مورد توجه هستند. این باز جهت گیری میتواند به وسیله ی میدان های مغناطیسی و الکتریکی و یا بوسیله ی میدان الکتریکی ناشی از امواج نوری القاء شود[1]. در کلیدهای نوری بوسیله سلول بلور مایع نماتیک، این بازجهت گیری بوسیله میدان الکتریکی dc و میدان الکتریکی ناشی از امواج نوری القاء می شود. امروزه کلید های نوری بر پایه بلور مایع نماتیک کاربرد های زیادی درنمایشگر های بلور مایع، مدولاتورهای نوری فضایی آدرس دهی نوری و وسایل محدود کننده نوری پیدا کرده اند. اغلب این کلیدها دارای آرایش پیچشی بوده و دارای مزیت هایی از جمله ولتاژ کار پایین ، نسبت تباین بالا و عبور تقریبا بی رنگ می باشد[2]. کلیدهای نوری با استفاده از سلول بلور مایع پیچشی بر اساس عبور نور از سلول بلور مایع که بین دو قطبش گر عمود بر هم قرار گرفته است کار می کنند . در سلول پیچشی قطبش نور عبوری همراه با بردار راهنمای سلول می پیچد. می توان بازجهت گیری مولکول بلور مایع را از طریق اعمال ولتاژ خارجی کنترل کرد و از این طریق روی قطبش نور عبوری اثر گذاشت. در صورتی که انر‍‍‍ژی میدان الکتریکی اعمال شده در سلول بلور مایع از انرژی کشسانی مولکول های بلور مایع بیشتر باشد، گذار فردریکز اتفاق خواهد افتاد[3]. در این وضعیت، به غیر از مولکول های چسبیده به دیواره سلول بقیه مولکول ها طوری باز جهت گیری خواهند کرد که راستای ممان دوقطبی الکتریکی آنها در جهت میدان خارجی قرار گیرد. باز جهت گیری ممان دو قطبی مولکول ها باعث تغییر بیضی گون ضریب شکست خواهد شد که منجر به تغییر فاز و قطبش نور عبوری می-شود. آنالیزور تغییرات قطبش را به تغییران شدت تبدیل خواهد کرد در نتیجه با تغییر قطبش نور عبوری از سلول شدت آن نیز در عبور از آنالیزور تغییر خواهد کرد. مطالعات نشان می دهد که با استفاده از پرتو پمپاژ میتوان ولتاژ آستانه گذار فردریکز را کنترل کرد که البته این در صورتی امکان پذیر است که از یک لایه حساس به نور همچون پلی وینیل الکل(pva) بر روی دیواره داخلی سلول استفاده شود[3]. می توان فرض کرد که در نتیجه اعمال میدان الکتریکیdc به سلول، میدان سدکننده ای ناشی از جمع شدن بارهای آزاد بین سطوح مرزی، ایجاد می شود که اثر میدان الکتریکی اعمالی را کاهش داده و ولتاژ مورد نیاز برای القاء گذار فردریکز را افزایش می دهد. تابش پرتو پمپاژ به سلول باعث خنثی شدن میدان سدکننده می شود که در نتیجه منجر به انتقال ولتاژ آستانه گذار فردریکز به سمت مقادیر کمتر خواهد شد.

در این پروژه داده های تجربی ضرایب شکست بلورهای مایع نماتیک، براساس مدل وکس مورد بررسی قرار گرفته و مشاهده می شود ضرایب شکست حاصل از این نظریه و داده های تجربی با یکدیگر مطابقت دارند. گرادیان دمایی و پارامتر نظم هر بلور مایع محاسبه شده و مورد بحث قرار گرفته شده است . پارامتر نظم میکروسکوپی با پارامتر نظم ماکروسکوپی مقایسه می شود. ضریب شکست هر یک از بلورهای مایع با روش رفراکتومتری تحت طول موج 6/586 نانومتر اندازهگیری شد. بررسی نتایج نشان داده است در دمای گذار از فاز همسانگرد به نماتیک تغییرات دمایی ضریب شکست ناپیوسته بوده و مقدار دوشکستی بدست آمده برای این مواد در فاز نماتیک مثبت است. وجود تغییرات دمایی ناگهانی در نمودار پارامتر نظم در دمای گذار، نشان میدهد که گذار از فاز همسانگرد به فاز نماتیک برای این مواد گذار فاز مرتبهی اول است.

کارهای تجربی در این پایاننامه ایجاد و بررسی ویژگی های اپتیکی الگوهای نانوخودسامانده بر سطح فیلم پلیمری حاوی رنگینه آزو می باشد. به همین منظور فیلم نازک پلیمری به روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیرلایه شیشه ای ایجاد شده است . برای ایجاد الگوهای خودسامانده در سطح فیلم پلیمری از لیزر یون آرگون با طول موج nm 5/514 در ناحیه جذبی فیلم پلیمری استفاده شده است. شکل گیری چنین الگوهایی بر سطح فیلم پلیمری وابسته به زاویه فرود و راستای قطبش باریکه لیزر نویسنده می باشد. به همین منظور با تغییر زاویه فرود و راستای قطبش باریکه نویسنده به بررسی ویژگی های اپتیکی الگوهای ایجاد شده پرداخته ایم. برای زاویه فرود 30 تا 35 درجه و برای راستای قطبش 45 درجه تک باریکه لیزر نویسنده موفق به ایجاد الگوهای نانو خودسامانده دوبعدی راستگرد در سطح فیلم پلیمری شدیم. تصویر آینه ای چنین الگوهایی نیز تحت زوایای فرود 30- تا 35- درجه و برای راستای قطبش 135 درجه باریکه لیزر نویسنده ایجاد شد. بررسی ویژگی های اپتیکی چنین الگوهایی با استفاده از لیزر هلیم - نئون به عنوان باریکه کاوشگر خارج از ناحیه جذبی مولکول های آزو نشان داد که چنین الگوهایی سبب تغییر در راستا و حالت قطبش پرتو عبوری و پراشی از سطح آنها می شوند و برای انتشار نور از جهت عکس ( از سمت زیرلایه شیشه ای) چنین رفتاری عکس می شود. چنین ویژگی هایی نشان دهنده این هستند، که با استفاده از تک باریکه لیزر یون آرگون موفق به ایجاد الگوهای کایرال دوبعدی راستگرد و چپگرد در سطح فیلم پلیمری شدیم . چنین الگوهایی امروزه به روش پیچیده لیتوگرافی با باریکه الکترونی در سطح شبه مواد ایجاد می شوند. نکته جالب توجه این است که تاکنون چرخشی در راستای قطبش پرتو عبوری از الگوهای کایرال دوبعدی ایجاد شده به روش لیتوگرافی در سطح مواد دی الکتریک مشاهده نشده است. در صورتی که ما توانستیم ماکزیمم چرخشی در حدود 5/1 درجه در راستای قطبش پرتو عبوری از الگوهای راستگرد برای انتشار نور از سمت فیلم پلیمری و چرخشی در حدود 4/2 درجه برای انتشار نور فرودی در جهت عکس مشاهده نماییم. از آنجاییکه الگوهای دو بعدی ایجاد شده در سطح فیلم پلیمری سبب پراش نور فرودی در دو راستای متفاوت از هم می شوند. به بررسی تغییرات ایجاد شده در راستا و حالت قطبش پرتو پراشی مرتبه اول و دوم در هر دو راستا پرداخته ایم. نتایج نشان میدهند که میزان چرخش ایجاد شده در راستای قطبش پرتو پراشی مرتبه اول و دو م برای یک راستای پراشی بیشتر از راستای دیگر می باشد.در قسمت بعدی آزمایش با استفاده از تک باریکه لیزر دیود با زاویه فرود 33 درجه و راستای قطبش 45 درجه موفق به ایجاد الگوهای کایرال سه بعدی در سطح فیلم پلیمری آزو شدیم. تفاوت الگوهای کایرال سه بعدی با حالت دوبعدی این است که برای انتشار نور در دوجهت مخالف هم بطور کاملاً متقارن رفتار می نمایند. نتایج تجربی بدست آمده به خوبی گویای این امر می باشند. در ادامه به بررسی پارامترهای تأثیرگذار در فعالیت نوری مشاهده شده از الگوهای کایرال دوبعدی مانند تأثیر زاویه فرود باریکه نویسنده ، مدت زمان تابش دهی فیلم پلیمری توسط تک باریکه لیزر آرگون ، راستای قطبش باریکه لیزر کاوشگر و زاویه فرود باریکه لیزر کاوشگر پرداخته ایم. بعد از بررسی عوامل تأثیرگذار درمیزان فعالیت نوری به بررسی ویژگی دیگر الگوهای کایرال دوبعدی که عبارت است از مدولاسیون شدت، پرداخته ایم. بدین ترتیب ماکزییم مدولاسیون شدت پرتو عبوری توسط الگوهای کایرال دوبعدی ایجاد شده در سطح فیلم پلیمری در فرود عمود باریکه لیزر کاوشگر 8% اندازه گیری شد. در صورتی که با تغییر زاویه فرود باریکه لیزر کاوشگر این مقدار به 12% رسید. قابل ذکراست که تغییر زیادی در شدت پرتو عبوری از الگوهای دوبعدی که برای مدت زمان کوتاهی تحت تابش باریکه لیزر نویسنده قرار گرفته بودند، مشاهده نشد.

حسگرها در گستره ی وسیعی مورد نیاز هستند. صنایع پزشکی، نفت و پتروشیمی، هسته ای، نظامی، غذایی و... به این ابزار نیاز مبرم دارند. لذا تحقیقات گسترده ای در سطح بین المللی بر روی این وسایل انجام شده است. بیش از نیم قرن است که بشر کشف نموده که هدایت الکتریکی نیمه رسانا تحت تاثیر گاز محیط اطراف آن است. خواص حسگری نیمه رسانا های اکسید فلزی مانند اکسید قلع، اکسید تیتانیوم، اکسید تنگستن، اکسید روی، اکسید آهن و اکسید ایندیوم مورد مطالعه واقع شده است. همچنین تحقیقات زیادی بر روی تاثیرات افزودن فلزات کمیاب، مانند پالادیوم، پلاتین، طلا و نقره به حسگرها در راستای بهبود خواص حسگرهای گازی برپایه ی نیمه رسانا اکسیدفلزی انجام شده است. در تحقیق حاضر از آرایه های نانولوله ی اکسید تیتانیوم به عنوان بستر شناسایی گاز استفاده شد. برای این منظور ابتدا نانوساختار مورد نظر به روش اکسیداسیون آندی بر روی سطح تیتانیوم ایجاد شد. سپس با انجام عملیات حرارتی مناسب ساختارهای مدنظر حاصل شد. پس از افزودن ذرات پالادیوم به دیواره ی نانولوله ها و انجام بستر سازی لازم، آزمون های شناسایی گاز انجام شد. در فصل ابتدایی این پژوهش، به روش سنتز نانولوله های اکسید تیتانیوم به روش اکسیداسیون آندی و عوامل موثر بر آن و کریستالوگرافی ساختار اشاره ای می شود. سپس نگاهی کوتاه به مقوله ی حسگرها خواهیم داشت. در انتهای فصل اول نیز به پیشنه ی پژوهش در کابرد نانولوله های اکسید تیتانوم در حسگر هیدروژن پرداخته می شود. فصل دوم، روش های تجربی و روند تحقیق را شامل می شود که به چگونگی آماده سازی نمونه ها، شرایط انجام اکسیداسیون آندی در الکترولیت های مختلف و شناسایی نانولوله ها به وسیله آنالیز xrd و تصاویر fe-sem اشاره می شود. همچنین کیفیت ایجاد اتصالات الکتریکی و نحوه ی انجام آزمون های شناسایی گاز مورد توجه قرار می گیرد. در فصل نهایی تحقیق نیز به نتایج بدست آمده و تحلیل علت ها و نتیجه گیری از مراحل سنتز و شناسایی گاز پرداخته می شود. در انتهای این فصل، نتیجه گیری های کلی و نیز چند پیشنهاد برای ادامه ی کار ارائه شده است

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا (mis) بررسی شده است. جریان تونل زنی در سنسورهای msm اندازه گیری شده است و عملکرد حسگری سنسورها در شرایط مختلف با هم مقایسه شده است. همچنین تغییرات ضریب ایده آل بودن با ولتاژ اعمال شده در سنسور msm برسی شده و اثر دما بر روی این تغییرات نیز در نظر گرفته شده است.

یکی از جالبترین نوع نیمرسانا ها نقاط کوانتومی هستند که امکان مطالعه ی محدودیت سه بعدی حاملین بار را فراهم آورده است. بر خلاف چاههای کوانتومی و سیم های کوانتومی طیف انرژی نقاط کوانتومی کاملا گسسته است. نقاط کوانتومی مدل های خوبی برای بررسی خواص فرمیونی مواد و تئوری های کوانتومی هستند. چنین به نظر می رسد که این نقاط نسبت به اتم ها بسیار انعطاف پذیرند و شامل هسته داخلی نیستند بنا براین می توانند تعداد زیادی ازالکترونها را در خود محدود کنند. ابعاد نقاط کوانتومی بسیار بزرگترازثابت شبکه می باشد اما قابل مقایسه با طول موج دوبروی الکترون است. بنابراین حرکت حامل بار در رژیم کوانتومی بررسی می شود. طول موج دوبروی بستگی به جرم موثر حامل بار و دما دارد.

در این پایان نامه تاثیرات قطبش نور فرودی و ولتاژ اعمالی، در پراش مرتبه اول، در یک سیتم میهمان میزبان بر پایه خانواده جدیدی از رنگینه آزو مورد مطالعه قرار گرفته است. شدت نور پراشی نتیجه ای از اختلاف ضریب شکست نور در نواحی مختلف نمونه است.این اختلاف ضریب شکست خود ناشی از اختلاف جهت گیری مولکول های بلور مایع در نقاط روشن و تاریک می باشد.

رمزنگاری تمام نوری شامل رویه ای است که در آن، با تغییرات : فاز، طول موج ، فرکانس فضایی ، پلاریزاسیون و یا تغییرات شدت ، امکان پنهان کردن اطلاعات در یک یا چند بعد مهیا می شود[1] . در این حوزه، تصویربرداری گوست، علاوه بر قابلیت حفظ اطلاعات با امنیت بالا ، زمینه انتقال با سرعت بالا را نیز فراهم کرده است، تا جایی که امروزه به عنوان یک گزینه جدی برای رمزنگاری تمام نوری اطلاعات محرمانه مورد توجه قرار گرفته و الگوریتم مربوط به آن در چند سال اخیر پیشرفت شایان توجهی به خود دیده است. از دیگر کاربردهای این پدیده منحصربفرد تصویربرداری از تجهیزات نظامی در شرایط جوی و استراتژیکی نامساعد است تا جایی که عکس برداری معمولی به هیچ عنوان امکان پذیر نباشد. صرفه نظر از چیدمان های متفاوتی که برای این نوع عکس برداری با منابع نوری شبه حرارتی و گاوسین و . . . ارائه شده است، اساس کار این نوع تصویر برداری بر مبنای همدوسی دو پرتو کاملا ناهمدوس می باشد به طوری که تغییرات اعمالی روی فوتون های یک پرتو، توسط فوتونهای پرتو دیگر احساس می شود. این مفهوم در فیزیک کوانتومی ریشه در، در هم تنیدگی فوتونها دارد که امروزه در مخابرات نوری جایگاه ویژه ای به خود اختصاص داده است. با توجه به تحقیقات اخیر صورت گرفته ، نوع محاسباتی این نوع تصویر برداری دارای سهولت و سرعت عمل بالاتری نسبت به چیدمان های دیگر می باشد. ولی تحقیقات در این زمینه ادامه خواهد داشت و در این پایان نامه ، سعی می شود تا الگوریتم و چیدمان رمزنگاری با این نوع عکس برداری بهبود شایان توجهی پیدا کند

اساس خودتمییزشوندگی بر سه نوع ساز و کار آب گریزی، آب دوستی و فوتوکاتالیستی استوار است. شیشه های خودتمیزشونده فوتوکاتالیست از لایه نشانی فیلم های نازک 2tio ، zno، 2sno و ... با ویژگی خودتمیزشوندگی تهیه می-شوند. در این میان دی اکسیدتیتانیم به دلیل طبیعت آب دوستی و پوشش دهی آسان تر توجه بیشتری را در این زمینه به خود جلب کرده است. در این تحقیق ابتدا لایه واسط آمورف2sio توسط تترااتیل اورتوسیلیکات حل شده بر روی سطح شیشه اعمال و خشک شد. در گام بعدی پوشش دهی اکسیدتیتانیم با استفاده از ترکیب آلکوکسید تتراتیتانیم ایزوپروپوکساید حل شده در حلال 2-پروپانول توسط تکنیک غوطه وری بر روی واسط سیلیسی پوشش داده و در دمای ?c 500 عملیات حرارتی شد. اثر مقادیر مختلف سریم نیترات از 5/0 تا 2 % وزنی در 2tio مورد بررسی قرار گرفت. بررسی های dta نشان داد که افزودنی سریم-نیترات به عنوان جوانه زای فاز آناتاز عمل کرده و تبلور در دمای پایین تری رخ داد. الگوی xrd حضور فاز آناتاز در پوشش اعمال شده را به اثبات رساند. با استفاده از بررسی های طیف نگاری جذبی uv-vis انرژی گاف انرژی 2tio محاسبه شد که با حضور افزودنی از ev 59/3 به ev9/2 کاهش یافت. همچنین با افزایش سریم نیترات لبه ی جذب به سمت طول موج-های بزرگتر در محدوده 400 تا 425 نانومتر جابجا شد. بررسی مورفولوژی سطح پوشش داده شده به روش afm مورد بررسی قرار گرفت.زبری سطح نمونه ها از nm937/7 تا nm 41/25 افزایش یافت. درنهایت زاویه تماس آب با دستگاه اندازه گیری زاویه تماس و قدرت فوتوکاتالیستی با استفاده از محلول متیل اورانژ تحت تابش پرتو فرابنفش اندازه گیری شد.زاویه ترشوندگی به کمتر از 7 درجه کاهش یافت و افزودنی سریم نیترات فعایت فوتوکاتالیستی را تا 80% افزایش داد

در این پایان نامه دو رهیافت تجربی و تئوری به کار گرفته شده است. در رهیافت تجربی برای بررسی سلول خورشیدی ساخته شده در آزمایشگاه، از بین منابع نوری موجود، منبع نوری مناسب برای مشخصه یابی جریان-ولتاژ انتخاب شد . از جمله تحقیقاتی که در مورد بهبود بازده و طول عمر سلول انجام شد تغییر در ساختار سلول و همچنین افزودن لایه ی شامل pedot:pss به عنوان لایه مانع الکترون می باشد. نتایج حاصل نشان می دهد که استفاده از ساختار معکوس در افزایش طول عمر سلول تاثیر بسزایی دارد به طوری که در فرایند ساخت نیز استفاده از glove box ضرورتی ندارد. pedot:pss انتقال دهنده خوبی برای حفره ها به شمار می آید به همین منظور استفاده از آن در ساختار معکوس علاوه بر تسریع در حرکت حفره ها ،مانعی برای حرکت الکترون ها نیز به حساب می آید و در پایان پس از اخذ نتایج مطلوب از کارکرد سلول، تاثیر حرارت دهی پس از ساخت و همچنین اثر اندازه مساحت ناحیه فعال در بازده مورد بررسی قرار گرفت. در رهیافت تئوری ، تاثیر ضخامت تک تک لایه های موجود در سلول خورشیدی پلیمری دو لایه بر روی کارایی سلول مورد بررسی قرار گرفت به طوری که پس از بررسی هر لایه از سلول ، ضخامت بهینه انتخاب و در بهینه سازی لایه بعدی لحاظ شده است و در پایان ضخامت بهینه برای تک تک لایه ها تعیین شده است

چکیده? پایان نامه: اغراق یکی از آرایه های ادبی است که در بیشتر کتب بلاغی عربی و فارسی، افراط در توصیف کسی یا چیزی تعریف و به سه مرتبه? مبالغه، اغراق و غلو تقسیم شده است. وضوح استفاده ? بلاغیون نخستین فارسی از کتب بلاغی عربی در طرح مباحث تئوریک بلاغت فارسی، زمینه ? بررسی سیر تطبیقی و تاریخی این آرایه را در بلاغت عربی و فارسی فراهم می کند. نیز می توان در تبیین کارکردهای بلاغی اغراق از مفاهیم ویژه ? زبان شناسی همچون برجسته سازی و آشنایی زدایی سود جست و از اغراق به عنوان یکی از ابزارهایی که منجر به ساختارشکنی می شود، نام برد. اغراق غالباً در حیطه ? علم بدیع جای گرفته، در حالی که ویژگی ها و کارکردهای آن منطبق با معیارهای علم بیان است و با شاخه های مختلف آن ارتباط مستقیمی دارد. از طرفی موضوعات و ویژگی های ژانرهای ادبی به گونه ای است که از اغراق به عنوان یک شیوه ? بیان مهم و پرکاربرد استفاده می شود. در این پژوهش به سیر تاریخی اغراق در در بلاغت عربی و فارسی پرداخته و چشم انداز روشنی از این آرایه در گذر زمان ارائه کرده ایم. با بررسی اغراق از جنبه های دلالت معنایی، ادای معنای واحد به طرق مختلف و ارائه ? تصویر که از ویژگی های اصلی علم بیان و صور بیانی هستند، آن را یکی از صور بیانی دانسته، و با بررسی صنایع بدیعی و بیانی که با اغراق همراهند، مشخص کرده ایم که کدام آرایه ها و صور بیانی، تحت کدام قواعد منجر به ایجاد اغراق در کلام می شوند. سپس موضوعات و ویژگی های ژانرهای ادبی را یکی از دلایل گسترش اغراق در ادبیات هر دو ملت برشمرده و به تبیین کارکردهای اغراق از منظر مباحث نقد ادبی پرداخته و در پایان به این نتیجه رسیده ایم که غراق یک شیوه ? بیان قدرتمند، زیبا و پرکاربرد است که جهت بزرگداشت امر یا پدیده ای به کار می رود و اساس آن بر کذب نیست.

می دانیم که پایه اساسی نمایشگرهای تمام نگاشت، رسیدن دو تصویر مختلف از یک جسم به طور جداگانه یکی به چشم راست و دیگری به چپ مشاهده کننده است. تصویر حاصل از این پدیده به عنوان برجسته بینی یاد می شود. امروزه برای تولید نمایش های برجسته بینی، استفاده از فناوری های متعدد همچون موانع موازی و آرایه های لنزی مورد توجه است. در این پروژه تحقیقاتی قصد بر این است که توسط یک عنصر اپتیکی هولوگرافی این برجسته بینی را بوجود آوریم که اساس این روش تشکیل ترکیب دو تا توری هولوگرافی توسط دو پرتوی نویسنده با قطبش های دایروی عمود بر هم در بلور مایع آلاییده با رنگینه آزو است. این نمایش برجسته بینی حاصل را می توان با استفاده از ولتاژ خارجی اعمالی بین حالات برجسته بینی سه بعدی و حالت تخت دو بعدی تغییر داد.

از سال 1977 رویای ترکیب ویژگی‎های مکانیکی پلیمر‎ها با ویژگی‎های الکتریکی و نوری فلزات، علم و فناوری پلیمر‎های رسانا را توسعه داده است. درحالی که این مواد در حالت طبیعی‎ نارسانا یا نیم رسانا هستند، اگر آلاییده شوند می‎توانند دارای رسانایی درحد فلزات باشند. یک سیستم مزدوجی سیستمی است که دارای پیوندهای یگانه و دوگانه‎ی متناوب باشد. برای این مواد گاف انرژی در محدوده‎ی 5/1 تا 3 الکترون ولت است. اولیگومر‎های مزدوجی ? در ترانزیستور‎های بر پایه‎ی مواد آلی، مدار‎های مجتمع و ادوات فتوولتایی کاربرد اساسی دارند. پلیمرهای مزدوجی ساختار بی‎نظم دارند‎. نکته‎ی مهم در درک ترابرد در یک محیط بی‎نظم این است که در این محیط جریان می‎تواند نتیجه‎‍‎ای از انتقال بار در حالت‎های جای‎گزیده باشد. حاملین بار با پرش از یک جایگاه جای‎گزیده به جایگاه جای‎گزیده‎ی بعدی در داخل ماده حرکت می‎کنند. رسانندگی ماده وابسته به نرخ این پرش است. برای بررسی ترابرد حاملین در سیستم‎های بی نظم می توان از مدل پرش با بازه‎ی متغیر مات که برمبنای مکانیزم تونل زنی با کمک فونون‎ها است، به همراه نظریه‎ی ترواش استفاده کرد. دلیل در نظر گرفتن چنین توصیفی این است که بار برای حرکت از یک سمت نمونه به سمت دیگر آن سریع‎ترین مسیر را به کار می‎برد. در این تحقیق ترابرد حاملین در یک پلیمر مزدوجی‎ را به صورت شبیه سازی بررسی کرده و رسانش این ماده را به دست آوردیم. به این منظور یک سیستم بی نظم از جایگاه‎های انرژی که مکان و انرژی آن‎ها کاتوره‎ای است، در نظر گرفتیم و با توجه به مکانیزم ترابرد، جایگاه‎های انرژی مجاز را که حامل بار می تواند به آن‎ها پرش انجام دهد، مشخص کردیم. سپس بر اساس نظریه‎ی ترواش، آستانه تراوش را به دست آوردیم. این آستانه به هنگام تشکیل اولین مسیر پیوسته برای انتقال بار از یک سمت نمونه به سمت دیگر آن مشخص می‎شود و مقدار آن برابر با رسانش ماده است.

زمانی که جسمی با سطح ناهموار? تحت تابش نور لیزر قرار می گیرد، جسم نورتابانده شده را پراکنده می کند. نورهای پراکنده شده از سطح جسم با هم تداخل کرده و تشکیل یک الگوی دانه دانه ای را می دهند که به الگوی پیسه لیزری معروف است. الگوهای پیسه ای? از پراکندگی نوردر انعکاس از سطح تشکیل می شوند و می توانند حامل اطلاعات مفیدی از سطح باشند. این روش کاربرد های گوناگونی در صنعت، نجوم و پزشکی دارد که از جمله آن می توان به بررسی ناصافی سطوح اندازه گیری فشار و قند خون وغیره اشاره کرد. اخیرا این روش برای بازسازی سیگنال های صوتی به کاربرده شده است. در این پایان نامه با اعمال قرکانس دلخواه و با استفاده از آنالیز الگوهای پیسه ای به آشکارسازی سیگنال های صوتی و آنالیز آنها مبادرت گردید.در فرآیند آزمایش ها? ارتعاشات صفحه مرتعش پیزو الکتریک به عنوان جسمی که خود مرتعش می شد بررسی شد و نتایج دقیقی به دست آمد. از آنجایی که فرکانس ارتعاشی اجسام همواره تک فرکانس نیست? بررسی فرکانس های ترکیبی اهمیت به سزایی دارد? فرکانس های ترکیبی به جسمی که توسط کامپیوتر کنترل می شد اعمال شده و به طور دقیق هر دو فرکانس مذکور آشکار سازی شد.نتایج نشان می دهد که ساختار سیگنال های ارتعاشی مواد ثبت شده می تواند معیاری از الاستیته یا خاصیت کشسانی آنها باشد. در واقع جنس مواد مرتعش می تواند عاملی موثر در سیگنال های مواد مرتعش بدون تغییری در دقت فرکانس ثبت شده آنها باشد.

نقاط کوانتومی دسته ای از نانو ذرات می باشند. و ساختارهایی هستند که در سه بعد محدود هستند،که این محدود شدن کلید تنظیم انتقالات نوری در نانو ساختارها است .یعنی در نقاط کوانتومی امکان تغییر اندازه گاف انرژی وجود دارد. اهمیت نیم رسانا بودن نقاط کوانتومی دراین است که رسانایی الکتریکی این مواد را می توان با محرک های خارجی مانند میدان الکتریکی یا تابش نور تغییر داد. از نقاط کوانتومی می توان به ساخت دیود های نشرکننده نور ledها، سلول های خورشیدی وعکسبرداری از بافت های زیستی و....... استفاده کرد

سلولهای خورشیدی یا سلول های فوتوولتاییک ابزارهایی هستند که انرژی خورشیدی را تبدیل به جریان الکتریکی میکنند.اکثرسلول های خورشیدی که در دنیا به کار گرفته می شوند از مواد معدنی (سیلیکون) ساخته میشوند که هزینه ساخت و نصب ونگهداری آنها بسیار هنگفت می باشد . بدین منظور امروزه استفاده از مواد آلی در ساختار سلولهای خورشیدی مورد توجه قرار گرفته است. ولی علیرغم داشتن هزینه کمتر و فرایند ساخت راحت تر، بازده کمتری نسبت به سلولهای خورشیدی معدنی دارند که دلیل عمده آن داشتن گاف انرژی بالا است که باعث کاهش جذب در ناحیه طول موجهای مرئی نور خورشید میشود. یک راه حل برای رفع این مشکل، استفاده از روش پلاسمونهای سطحی موضعی (جایگزیده) و نانوذره ها می باشد. تشدید پلاسمون های سطحی،نوسان های هماهنگ و تجمعی الکترون های فلزی است که توسط پرتو تابشی تحریک شده است . این تشدید در ساختار هایی با ابعاد نانو متری ، تشدید پلاسمونهای سطحی موضعی نامیده می شود . دراین پروژه اثر پلاسمونهای سطحی جایگزیده در پارامترهای سلولهای خورشیدی پلیمری به صورت نظری مورد مطالعه قرار گرفته است.

در بررسیهای نظری سلولهای نازک گازی به علت رقیق بودن گاز از برخورد بین ذرات صرفنظر شده است. با بالا بردن فشار گاز(چگالتر کردن)برخورد بین ذرات بصورت یک پارامتر موثر قابل توجه است. در این کار تحقیقی اثر برخورد در سلول نازک گازی برای موج تخت تک رنگ رونده به طور نظری بررسی شده است. مشاهده می شود که با افزایش فشار گاز به علت فرایند برخورد دامنه تشدیدهای زیردوپلری کاهش و پهنای خط افزایش می یابد و به تبع از آن قدرت تفکیک زیر دوپلری پائین می آید. بطوریکه در فشارهای بالا تشدیدهای زیردوپلری ناپدید می شود.

هدف از این پروژه، تولید منابع مدل شل گوسین و اندازه گیری طول همدوسی فضایی آن با استفاده از اندازه گیری توزیع شدت باریکه تولید شده در فواصل مختلف است. منابع مدل شل را می توان با روشن کردن یک تیغه مات به وسیله پرتوی از لیزر هلیوم-نئون با توزیع شدت گوسین و با قرار دادن یک باریکه گستر بین لیزر و تیغه مات تولید نمود. در اینکار تجربی با اندازه گیری واگرایی نور تولید شده از منبع ثانویه نشان داده شده است که تحت شرایط خاصی، واگرایی نور به ابعاد منبع آن وابستگی ندارد. این در حالی است که هر قدر طول همدوسی فضایی منبع کوچک باشد، زاویه واگرایی آن زیاد خواهد بود.بدینوسیله نشان داده شده که برای تولید نور جهتمند، ضمن اینکه می توان از منابع با همدوسی فضایی استفاده کرد، با انتخاب توزیع شدت مناسب روی منبع نیز امکان تولید باریکه جهتمند وجود دارد.

براثر برهمکنش نور با موادآلی یک جفت الکترون و حفره تشکیل می شود. چنانچه این جفت الکترون و حفره در یک میدان الکتریکی قرار گیرند، از هم جدا شده و باعث ایجاد جریان در داخل نمونه می شوند. رسانش و حرکت این حاملها در سیستمهای پلیمری آلائیده با رنگینه آلی بوسیله مدل بی نظمی قابل توجیه است. برمبنای این مدل، رسانش از طریق انجام حرکتهای پرشی در میان یکسری از حالات که انرژی و مکان آنها در معرض بی نظمی است انجام می گیرد. با برازش منحنی نظری جریان بر داده های تجربی مشخص شد که رابطه نظری جریان در ناحیه فروافت منحنی جریان بر حسب زمان، با نقاط تجربی به علت آزادشدن حاملهای به تله افتاده و وجود پخش ناهمسان حاملهای بار در سیستم واقعی همخوانی ندارد . همچنین براساس همین مدل لگاریتم تحرک پذیری بر حسب مجذور میدان الکتریکی در این مواد به خاطر اندرکنش حاملها با دوقطبی ها به صورت خطی است . با استفاده از برازش رابطه نظری تحرک پذیری با داده های تجربی مقدار ممان دوقطبی، و مولکولهای آلاینده برابر 5/2 به دست آمد.