ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخیراً ماسفت¬هایی مورد استفاده قرار گرفته¬اند که در نواحی سورس و درین به¬جای دیفیوژن از فلزات استفاده می¬شود و به این ترتیب اتصالات pn در ماسفت¬های مرسوم جای خود را به سدهای شاتکی داده است. از طرفی الکترونیک کربنی ساختار نانولوله کربن را جهت جای¬گزینی با نیمه هادی¬های مرسوم مورد استفاده در ماسفت (سیلیکون) پیش¬رو قرار می¬دهد. در این پایان¬نامه در گام نخست نانو لوله¬های کربنی با فیزیک مناسب (گاف انرژی) جهت استفاده به¬عنوان کانال ترانزیستور ماسفت تهیه می¬گردد، سپس سد شاتکی با اتصال نانولوله¬های ساخته شده به یک فلز مناسب ساخته می¬شود و پارامترهای آن (ازجمله ارتفاع سطح و یا مشخصه¬ی i-v آن) استخراج می¬گردد. در مرحله¬ نهایی با اتصال نانولوله کربنی به دو فلز (درین و سورس) ساختار ترانزیستور شاتکی ایجاد خواهد شد و منحنی مشخصه¬ی این ترانزیستور ایجاد می¬گردد.