دراین پایان نامه، خصوصیات شکست الکتریکی دی سی با حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است. برای کاهش مقدار پتانسیل شکست الکتریکی، راههای متعددی وجود دارد، مانند استفاده از یک فیلامان، میدان مغناطیسی محوری و عمودی. در اینجا ما، اثرات میدان مغناطیسی محوری را بر روی ویژگی های شکست الکتریکی بررسی نمودیم. دستگاه ما شامل دو استوانه ی هم محور و یک سیم پیچ مغناطیسی برای تولید میدان مغناطیسی محوری در حضور گازهای آرگون و نیتروژن می باشد. ضریب یونیزاسیون موثر و ضریب گسیل الکترون ثانویه به دست آمده است. مشاهده می شود که با استفاده از میدان مغناطیسی، پتانسیل شکست الکتریکی کاهش یافته که بیشتر در فشارهای پایین ادا می شود. علاوه بر این، میدان مغناطیسی ضریب یونیزاسیون موثررا تغییر نمی دهد در حالی که میدان مغناطیسی سبب افزایش ضریب گسیل الکترون ثانویه می گردد.