در این رساله، بلوک های مختلف بخش آنالوگ یک تگ غیرفعال rfid با هدف کمینه کردن توان مصرفی، طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی بلوک یکسوساز از ساختار اتصال متقاطع و مدار بوت استرپ برای حذف اثر ولتاژ آستانه استفاده شده است. یکسوساز به ازای دامنه ولتاژ rf ورودی v64/0، دارای بازده تبدیل توانی برابر با %31 می باشد. در ساختار محدودکننده ولتاژ از bgr، مقایسه کننده و وارونگرهایی که بر اساس ترانزیستورهایpass-gate کار می کنند، استفاده شده است. توان مصرفی و سطح چینش محدودکننده پیشنهادی به ترتیب nw325/47 و ?m244×44 می باشد. در تنظیم کننده ولتاژ برای کاهش توان مصرفی از دو سطح ولتاژ استفاده شده است و در ساختار آن مدارهای opa، bgr و مقسم ولتاژ، با سطح ولتاژ کمتر تغذیه می شوند. توان مصرفی و سطح چینش تنظیم کننده پیشنهادی به ترتیب ?w91 و ?m235×43 محاسبه شده اند. در طراحی مبدل dc-dc از سلول وارونگر برای کنترل گیت ترانزیستور گذر استفاده شده است و توان مصرفی و سطح چینش آن به ترتیب ?w49 و ?m2120×170 می باشد. مدار por طراحی شده دارای قابلیت آشکارسازی brown-in و brown-out بوده و سطح چینش و توان مصرفی آن به ترتیب ?m240×40 و ?w8/1 می باشد. در طراحی نوسان ساز از ساختار حلقوی تفاضلی استفاده شده و با بکارگیری روش های جبران سازی حرارتی، ضریب دمایی آن کاهش داده شده است. سطح چینش و توان مصرفی این بلوک به ترتیب برابر با ?m245×66 و ?w636/6 می باشد. در مدولاتور پس انتشار qpsk، یک ورکتور برای ایجاد 4 امپدانس مختلف تحت 4 ولتاژ متفاوت بکار گرفته شده است. توان مصرفی و سطح چینش مدولاتور پیشنهادی به ترتیب ?w23/4 و ?m270×52 می باشد. در مدار دمدولاتور ask پیشنهادی سطح آستانه مقایسه در نظر گرفته شده، وابسته به سطح دامنه rf ورودی بوده و توان مصرفی و سطح چینش آن به ترتیب nw88/169 و ?m260×62 می باشد. مدار حسگر به صورت کاملا ماسفتی طراحی شده و در ساختار شمارنده آن از t-ff با روش gdi استفاده شده است. توان مصرفی و سطح چینش حسگر پیشنهادی به ترتیب nw112 و ?m2128×98 محاسبه شده است.