برایتهیه پودر ازمواد اولیه v2o5 و y2o3 و nd2o3 استفاده شد.

طراحی و ساخت فیلترهای تراگسیل القایی هدف ما بوده است. روند بیشتر طراحی ها اینگونه بوده است که ابتدا، یک فیلتر دی الکتریک طراحی شده است و یا دو ماده با ضرایب شکست بالا و پایین انتخاب شده است، سپس یک یا دو لایه فلزی اضافه شده است. این لای? فلز منجربه متمرکز شدن منحنی عبوری می شود. تمامی لایه نشانی ها توسط روش انباشت فیزیکی بخار (pvd) انجام شدند. در مرحله ساخت، مواد با نرخ نانومتر برثانیه انباشت شدند. فیلترهای تهیه شده از نظر طیف عبوری مقایسه شده اند. برای تغییر نیم پهنای باند (fwhm)، به کاربردن مواد مختلف، مفید بود. نتیجه مهم دیگر، کاهش دادن اختلاف ضرایب شکست برای ساخت فیلترهایی با طول موج عبوری بالا بود. این می تواند به جای استفاد? از افزایش ضخامت لایه ها استفاده شود.

با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی? لایه zno را روی لام شیشه لایه نشانی کرده و در دمای ? 500 آنیل نمودیم. سپس الکترودهای کروم، آلومینیوم، نقره و پلاتین را روی لایه zno با همان روش انباشت شد، ضخامت لایه اکسید روی و الکترودها 200 نانو متر بود و در نهایت بعنوان حسگر گاز مورد استفاده قرار گرفت. حسگرها در معرض بخار الکل های اتانول? متانول? پروپانول و بوتانول قرار گرفتند. تغییر حساسیت در تمامی حسگرها با افزایش غلظت الکل ها مورد بررسی قرار گرفت. حسگر گاز با الکترود نقره و پلاتین پاسخ بهتری را نسبت به دیگرالکترودها نشان میدهند. دمای کار حسگر با الکترود کروم در حدود 40 درجه سانتی گراد نسبت به پلاتین پایینتر است. زمان پاسخ و زمان بازیابی حسگر پلاتین از دیگر الکترودها کمتر بود.

هدف اصلی در این پروژه مطالعه کلیه پارامترهای تاثیرگذار در آستانه تخریب لیزری قطعات اپتیکی آنهاست که به موجب آن بتوان پایداری این قطعات را در مقابل توانهای بالای لیزری افزایش داد در این تحقیق، پس از مطالعه اولیه در مورد مفاهیم خلأ، پمپ های خلأ، محفظه خلا و فشارسنج ها، پارامترهای مختلف رشد لایه مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین روش های مختلف آنالیز سطح مانند اسپکتروفتومتر و میکروسکوپ روبشی که برای آنالیز نمونه ها مورد استفاده قرار گرفته اند، نیز مورد توجه قرار گرفته است. در ادامه، پس از مطالعه طراحی و ساخت فیلترهای اپتیکی، بهینه سازی آستانه تخریب لیزری برای فیلتر اپتیکی در طول موج 1064 که موضوع اصلی پروژه می باشد، مورد بررسی قرار گرفته است. بدین جهت، علاوه بر بررسی پارامترهای تاثیر گذارمختلفی مانند دما، مقدار فشار محفظه خلأ وآلودگی زیرلایه، طراحی خاصی را مورد مطالعه قرار دادیم.که تأثیر توزیع میدان الکتریکی را که مهمترین عامل در کاهش آستانه تخریب لیزری می باشد را به حداقل برسانیم. برای ساخت فیلتر اپتیکی از روش تبخیر باریکه الکترونی در خلا استفاده کرده ایم. لایه نشانی بوسیله دستگاه leybold a700 انجام گرفته است. همچنین از نرم افزار شبیه ساز macleod جهت شبیه سازی لایه های نازک مورد نظر استفاده می شود. طیف اپتیکی فیلتر توسط سیستم اسپکتروفتومتر carry 6000i اندازه گیری گردید. برای ریخت شناسی سطح لایه ها نیز از میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ پروبی روبشی afm استفاده گردید. همچنیین برای بررسی آستانه تخریب نمونه ها از چیدمان طراحی شده با لیزرnd:yag بهره بردیم.

در این پایان نامه ابتدا لایه های نازک نانوساختار مس به روش لایه نشانی با لیزر تپی تهیه شده ا ند. سپس ساختار سطحی این لایه های نازک به وسیله میکروسکوپ های الکترون روبشی و نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفته است. طیف جذبی لایه ها نیز به وسیله دستگاه طیف سنجی مرئی- فرابنفش به دست آمده و از روی نمودار طیف جذبی، مکان قله جذب پلاسمونی و پهنای نیم بیشینه لایه ها تعیین شده اند. پس از این مراحل اثرات غیرخطی نوری لایه ها مورد بررسی قرار گرفته اند. اثرات غیرخطی نوری که در این پایان نامه به صورت تجربی بررسی شده اند شامل جذب غیرخطی، شکست غیرخطی،حد نوری و بررسی بخش فضایی اثر مدولاسیون خودفاز می باشند. برای به دست آوردن ضریب جذب غیرخطی از روش روبش z روزنه باز شیخ بهایی و برای به دست آوردن ضریب شکست مرتبه دوم غیرخطی از روش روبش z روزنه بسته شیخ بهایی با لیزر موج پیوسته استفاده شده است. اثر مدولاسیون- خودفاز نیز در ابتدا به صورت نظری بررسی شده و با نتایج به دست آمده از بخش تجربی مقایسه شده است. در پایان، نتایج تجربی مورد تجزیه و تحلیل واقع شده و با کارهای پیشین در این حوزه مقایسه شدهاند. مطابق نتایج تجربی به دست آمده از نمونه های لایه نازک نانوذرات مس بزرگی ضریب شکست مرتبه دوم از مرتبه3-10سانتی متر مربع بر وات می باشد.

در این پایان نامه? قرص هایی با مواد mgf2و caf2 با درصد های مختلفی از caf2 تهیه شده، لایه های نازکی از آن ها با استفاده از روش فیزیکی pvd بوسیله دستگاه balzerروی زیرلایه bk7 تهیه گردید. جهت مطالعه مورفولوژی و خواص ساختاری نمونه های بدست آمده، از آنالیز های xrd و sem، و برای شناسایی درصد عناصر موجود در آنها از تست rbs و xpma استفاده شد. مطالعه و بررسی خواص اپتیکی لایه های تهیه شده با استفاده از روش آنالیز طیف عبوری آن ها در محدوده 300 تا 1200 نانومتر انجام شد. برای بررسی تغییرات آستانه تخریب، آزمایش تخریب با لیزر nd:yag در هارمونیک دوم طول موج 1064 نانومتر (532 نانومتر) انجام گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهند که نمونه حاصل از مخلوط mgf2 و (%20) caf2 بهترین شرایط را برای استفاده در آینه ضدبازتاب دارا می باشد.

با توسعه فن آوری های نانو، نیاز به ساخت و توسعه ابزارهای مشاهده، شناسائی و مشخصه یابی جزء لاینفک تحقیقات بشمار می رود. در این رابطه انواع میکروسکوپ ها از میکروسکوپ نیروی اتمی گرفته تا میکروسکوپ الکترونی نقش محوری در این نوع تحقیقات را بر عهده دارند. در این میان روش های میکروسکوپی سه بعدی یکی از موضوعات چالش برانگیز این حیطه بوده است. در این پروژه و پس از ساخت اولین میکروسکوپ هم کانونی در کشور، بهینه سازی در طراحی با استفاده از نرم افزارهای طراحی اپتیکی و انجام چیدمان آزمایشگاهی بر اساس این بهینه سازی مورد توجه قرار گرفته است.