میزان عناصر کم مقدار s، cl، k، ca، mn، fe، cu و zn در نمونه مو بانوان با دو روش نمونه سازی ایجاد قرص مو به روش فیزیکی و حل کردن مو در حلال مناسب مورد بررسی قرار گرفت. در نهایت پس از آنالیز 93 بافت مو( بیماران با توده های بدخیم ، خوش خیم ، نرمال ) کاهش غلظت عناصر fe , cu , zn در بیماران سرطانی از نوع بدخیم و همچنین کاهش غلظت عناصر ca , mn , fe cu , zn در بیماران مبتلا به توده های خوش خیم نسبت به افراد نرمال مشاهده شد (p<0.05). و غلظت k در بیماران مبتلا به سرطان بدخیم نسبت به نرمال افزایش یافت (p<0.05). همچنین از نظر آماری هیچ تغییر قابل استنادی در غلظت عناصر کم مقدار در دو گروه خوش خیم و بد خیم مشاهده نشد(p>0.05) .

حضور درهم‏تنیدگی کوانتومی در سیستم های مزوسکوپی و تحول آن در شرایطی که سیستم تحت تاثیر اثرات ناهمدوسی ناشی از محیط قرار دارد را مطالعه می کنیم. سیستم ها در دنیای حقیقی ایزوله نبوده و برهمکنش سیستم با محیط اطراف خود باعث اعمال اثرات ناهمدوسی و کاهش درهم تنیدگی سیستم کوانتومی می شود. تعیین درهم تنیدگی سیستم های باز، در نانو مواد و سیستم های مزوسکوپی که می توان آن ها را بعنوان سیستم بس ذره ای تلقی کرد، بر اساس پیکربندی ماتریس چگالی تقلیل یافته و معیار تابع توافق خواهد بود. سیستم بس ذره ای می تواند به عنوان مثال شامل زنجیره ای خوشه ای از اتم ها و مولکول های دو اتمی که دارای پتانسیل برهمکنشی بین ذره ای است، باشد و برهمکنش فونون ها با خوشه های اتمی به عنوان اتلافگر سیستم تلقی خواهد شد. ماتریس چگالی سیستم با استفاده از توابع گرین بس ذره ای محاسبه می شود. برای نشان دادن تاثیرات محیط بروی سیستم، معادله لیندبلد را که معادله حرکت برای ماتریس چگالی تقلیل یافته سیستم باز بوده و شامل یک جمله اضافی حاوی اطلاعات تحول سیستم (در نتیجه تاثیر محیط به عنوان یک منبع اتلاف کوانتومی) است برای محاسبه ماتریس چگالی اتلافی سیستم به کار می بریم. رویکرد توابع گرین را که برای توصیف سیستم های نانو بسیار مناسب می باشد با معادله لیندبلد می آمیزیم و معادله قدرتمندی برای توصیف سیستم بس ذره ای اتلافی به کار خواهیم برد. نشان خواهیم داد که می توان از حالت های اسپینی و فضایی الکترون و اتم ها در این ساختار، هر کدام، به عنوان یک کیوبیت بهره برد. همچنین نشان خواهیم داد علاوه بر تاثیرات آشفتگی و افت و خیز های که محیط بر سیستم اعمال کرده، برهمکنش سیستم با محیط باعث کاهش طول درهم‏تنیدگی سیستم که از مرتبه طول موج فرمی بود، و سپس از بین رفتن در همتنیدگی می شود. در ادامه با آوردن نمودار ها نشان خواهیم داد که چگونه چگالی موضعی حالت های سیستم در اثر اتلاف ناشی از محیط تقلیل می یابند.

رشد رونشستی از فاز مایع روشی است که برای ساختن ادوات الکترونیکی و لیزری نیمه هادی بطور وسیعی از آن استفاده می شود. در این پایان نامه، لایه های نازک gaas/algaas روی یک زیر لایه n-gaas با جهتمندی (100) با روش lpe رشد داده شده اند که این لایه های نازک دارای مشخصات زیر هستند: لایه اول) n-gaas:te به ضخامت 4 تا 6 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 18 cm-3 لایه دوم) n-al0.4ga0.6as:sn به ضخامت 5/1 تا 5/2 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 16cm-3 لایه سوم) gaas به ضخامت تقریبی 1/0 میکرون و بدون آلاینده لایه چهارم) p-al0.4ga0.6as:ge به ضخامت 5/1 تا5/2 و تراکم آلاینده p=3x10 17cm-3 لایه پنجم) p-gaas:ge به ضخامت 2 تا 3 میکرون و تراکم آلاینده p=4x10 18cm-3 تهیه شد. پس از رشد لایه ها ضخامت و یکنواختی لایه گذاری بوسیله میکروسکوپ نوری مورد بررسی قرار گرفت همچنین بوسیله دستگاه sims عناصر تشکیل دهنده در هر لایه مورد بررسی قرار گرفت. بر اساس اطلاعات بدست آمده از دستگاه sims تغییرات al,as,ga که عناصر تشکیل دهندهنیکه هادی algaas, gaas را تشکیل می دهند به دقت اندازه گیری شدند همچنین چگالی ناخالصی های ge,sn,te وتغییرات دانسیته بر حسب عمق نفوذ کاملا نشان میدان که میزان بهینه هر کدام از ناخالصی ها در چه حدودی بایستی باشد.