امروزه بررسی سطوح مواد به عنوان محل برهمکنش جامد با بیرون، از اهمیت بسیار زیادی برخوردار است. توپوگرافی و شکل سطوح نیز می تواند بر عملکرد فیزیکی و کاربرد آنها تاثیر بگذارد، بنابراین بررسی سطوح از لحاظ تجربی و نظری اهمیت زیادی دارد با گام برداشتن به سمت نانو ساختار ها، اهمیت علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. لایه های نازک، به دلیل نازک بودن و در نتیجه ظهور خواص کوانتومی و همچنین بزرگی نسبت سطح به حجم بسیار حائز اهمیت هستند. تولید مواد با خلوص بالا یکی از نکات مهم در ساخت لایه های نازک است. تکنیک mbe یکی از روش های مورد توجه، جهت تولید مواد با خلوص بالا است. در این پایان نامه با بهره گیری از نرم افزار برنامه نویسی matlab مدل های مختلف لایه نشانی شبیه سازی شده و یک مدل جدید برای لایه نشانی به روش mbe ارائه داده شده و تغییرات لگاریتمی زبری بر حسب زمان مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که فرآیند رشد در دو مرحله انجام می شود و از دو تئوری مختلف پیروی می کند. ابتدا تئوری خطی mbe و سپس معادله ادوارد-ویلکینسون برقرار است. همچنین در این مدل، تاثیرات دما و سرعت لایه نشانی بر فرآیند رشد سطح مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که با اعمال این تغییرات، شیب نمودار در دو قسمت ثابت باقی می ماند و فقط مدت زمانی که طول می کشد تا فرآیند رشد از یک مدل به مدل دیگری وارد شود متفاوت است.

در این پایان نامه سعی شده تا به بررسی نقش زبری زیرلایه در فرایند رشد سطح پرداخته شود. برای این منظور به بررسی مدلهای معروف رشد پرداختیم .

کارکرد پرتو شکاف در سامانه های نوری تفکیک پرتو فرودی به دو پرتو عبوری و انعکاسی است. هدف این پژوهش، طراحی و ساخت نمونه ای از پرتو شکاف های تیغه ای است که قابلیت تفکیک دو ناحیه ی مرئی و مادون قرمز از طیف امواج الکترومغناطیس را دارا باشد. پرتو شکافی که انعکاس آن در ناحیه مرئی و عبور آن در ناحیه مادون قرمز بیشینه باشد. بر این اساس، نوعی طراحی با در نظر داشتن خصوصیات مواد از لایه-های نازک ژرمانیوم، کریولیت و سلنید روی بر زیر لایه سیلیکونی انجام گرفت. پرتو شکاف طراحی شده 21 لایه ای بوده و به روش بوته حرارتی و پرتو الکترونی ساخته شده و با بهره گیری از ضخامت سنج کریستالی در محفظه خلأ میلی بار لایه نشانی آن صورت گرفته است. نتیجه حاصل از نمونه ساخته شده، میانگین بازتاب 91% در محدوده طول موجی 700-480 نانومتر و میانگین عبور 94% در محدوده طول-موجی 4800-3600 نانومتر می باشد.