اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی اکسید قلع با روش تبخیر حرارتی در خلاء (pvd) برروی زیرلایه شیشه ای، در ضخامت های 50،150 و250 نانومترلایه نشانی شدند. سپس فیلم نازک باضخامت 250 نانومتر به مدت 2 ساعت در دو دمای 450و 650 درجه سانتیگراد بازپخت گردید. خواص اپتیکی، ساختاری و فتولومینسانس فیلم های نازک دی اکسید قلع، به کمک آنالیزهای اسپکتروفتومتری، الگوی پراش اشعه ایکس، پراکندگی رامان، طیف مادون قرمز و فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفت. فیلم های اولیه لایه نشانی شده آمورف می باشد در حالیکه با بازپخت این لایه های نازک، ساختار کریستالی جانشین ساختار آمورف می شود. با افزایش دمای بازپخت ساختار بلوری فیلم ها هم بهبود می یابد و گاف انرژی این لایه های نازک با افزایش دمای بازپخت از 3.6 الکترون ولت تا 4.2 الکترون ولت افزایش می یابد.