ازآن جایی که بسیاری از ادوات نیمرسانای مورد استفاده در معرض تابش ها ی کیهانی قرار می گیرند، بررسی اثر تابش یون ساز روی قطعات نیمرسانا بسیار مورد توجه قرارگرفته است. این تابش ها سبب یونیده شدن قطعات نیمرسانا می شود که ممکن است منجر به تغییر خواص این ادوات شود. در این تحقیق به بررسی اثر پرتوهای ایکس وگاما بر روی سلول فتوولتاییک پرداخته ایم. سلول در معرض شدت های تابش متفاوت از پرتوهای ایکس و گاماقرارگرفته و خواص فتوولتاییک آن قبل، بعد و حین پرتودهی بررسی شده است. پرتوهای گامای مورد استفاده از چشمه های سزیم((_55^137)cs) با فعالیت 20 کوری و انرژی661.7 کیلو الکترون ولت ویک چشمه ی کبالت کالیبره((_27^60)co) با فعالیت 1000 کوری و انرژی میانگین1250کیلو الکترون ولت حاصل شده اند و پرتو ایکس مورد استفاده از دستگاهx-ray apparatus 554 811که دارای ماکزیمم ولتاژ 37 کیلو الکترون ولت و جریان بیشینه 2/1 میلی آمپر می باشد تابیده می شود.خواص مورد بررسی عبارت اند از:منحنی مشخصه یi-v ، جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز ، ضریب پرکنندگی و بازده. نتایج این بررسی بیانگر میزان اثرات مخرب این تابش ها بر روی سلولهای فتوولتاییک است. مقایسه ی مشخصات سلول ها تحت تابش نور مرئی قبل و بعد از تابش های ایکس و گاما به عنوان معیاری جهت اندازه گیری میزان تخریب سلول ها توسط دستگاه شبیه ساز خورشیدیluzchem(solar simulator)v1.2 استخراج شد. همچنین، جهت بررسی امکان آشکارسازی تابش های ایکس و گاما توسط سلول ها، همزمان با تاباندن پرتوهای ایکس و گاما مشخصات سلول های تحت تابش توسط چینش مناسبی از وسایل اندازه گیری در دسترس صورت گرفت. نتایج حاصل بیانگر آن بود که این تابش ها توسط سلول ها به خوبی قابل آشکارسازی هستند، لذا این سلول ها قابلیت کاربرد به عنوان آشکارساز در محیط های با احتمال نشت تابش های معمول در آزمایشگاه های پزشکی، صنعتی و کشاورزی را دارا هستند. البته لازم به ذکر است در مورد پرتوی گاما تخریبی جزئی در سلول ها مشاهده می شود که این موضوع در بکارگیری این سلول ها به عنوان آشکارساز گاما می بایست مورد توجه دقیق تریقرارگیرد.