با توجه به کاربرد بسیار وسیع قطعات الکترونیکی در تحقیقات فضایی و وجود پرتوهای کیهانی با شدت بسیار زیاد در خارج از جو، یافتن مواد جایگزین سیلیکون و مواد مشابه دیگر با مواد مقاوم در برابر اشعه، نیاز روز تکنولوژی الکترونیک فضایی است. مواد با پایه کربنی، به خاطر ویژگی های الکتریکی جالبی که دارند، و با توجه به پتانسیل بالای آن ها در کاربردهای الکترونیک فضایی مورد توجه تحقیقات علمی قرار گرفته اند. لذا در این تحقیق ساخت ترانزیستور شاتکی بعنوان ترانزیستور پایه که در آن مس به عنوان الکترود فلزی و نانولوله کربنی را به عنوان نیم رسانا برگزیدیم. نانولوله کربنی را به روش تخلیه قوس الکتریکی با جریان متناوب و با استفاده از یک ژنراتور ولتاژ بالا مابین دو الکترود مسی رشد دادیم. برای این منظور راکتور از دو الکترود مسی که روبروی هم قرار گرفته-اند، تشکیل یافته است.گاز ترکیبی پروپان وبوتان بعنوان منبع کربن جهت تولید رشته های پایدار کربن به کار رفته است. بعد از ساخت ترانزیستور شاتکی با تابش پرتوهای بتا تغییرات مشخصه های جریان-ولتاژ قطعه حاصل را بررسی کردیم.