در این پایان نامه، مشخصه های یک سوده (سوئیچ) پلاسمونی تمام نوری که یک المان کلیدی در شبکه های مخابرات و محاسبات نوری محسوب می شود، بررسی و با استفاده از روش دوبعدی تفاضل محدود در حوزه ی زمان برای محیط های پاشنده و غیرخطی، شبیه سازی می شود.این سوده پلاسمونی تمام نوری بر مبنای ساختار نانوچاک t-شکل نامتقارن و اثر غیرخطی کر عمل می کند. با شبیه سازی خطی، تأثیر تغییر ضریب شکست محیط عایقی ساختار، روی طیف های بازدهی تولید spp بررسی شده اند. در این حالت، تأثیر سایر پارامترهای ساختاری سوده، عرض نانوچاک و عمق کاواک، در بهینه کردن عملکرد آن بررسی شده اند . با در نظر گرفتن اثر غیرخطی کر برای لایه ی عایق ساختار سوده، عملکرد غیرخطی سوده، بررسی و شبیه سازی شد.