در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای راه اندازی نرم سوئیچ اصلی است و باعث می شود که تلفات سوئیچ زنی، در جریان صفر کاهش یابد و در نتیجه راندمان بالاتر و ولتاژ وجریان خروجی بهتری نسبت به مبدل باک معمولی درتکنولوژی مقیاس 16 نانومترcmos بدست آید. در این طرح ولتاژ ورودی 1 ولت است که با استفاده از روش، سوئیچ زنی در جریان صفر دو ولتاژ متفاوت 0.4 و 0.55 با حداکثر جریان های به ترتیب 80 میکرو آمپر و 106 میکرو آمپر و حداکثر راندمان 80% در مقیاس 16 نانومتر cmos بدست آمده اند.