اخیراً با معرفی ماده به عنوان یک تک لایه با گاف انرژی مستقیم دانشمندان را بر آن داشت تا به بررسی ساختار الکترونی این تک لایه بپردازند. در این پایان نامه ابتدا ما به بررسی ساختار الکترونی به صورت حجمی و تک لایه پرداخته و با توجه به کاربرد توابع وانیر در محاسبات ترابرد و خواص اپتیکی موادو... ، از اینرو به محاسبه توابع وانیر نوار های رسانش و ظرفیت برای تک لایه می پردازیم. از آنجا که توابع وانیر یکتا نمی باشند، ما از توابع وانیر حداکثر جایگزیده که توسط مارزاری واندربیت بدست آمده، استفاده می نماییم و ساختار نواری حجمی و تک لایه را بدست می آوریم.