نیمرساناهای نانوساختار در صنایع اپتیک و لیزر به خاطر کاربردهای متنوع شان نقش بسیار مهمی را ایفا می کنند. با توجه به اینکه سلنید سرب نیمرسانایی است که در محدوده ای جذب دارد که در کاربردهای مخابراتی مهم می باشد، از این رو بررسی خواص اپتیکی و هم چنین ساخت نانوساختارهای سلنید سرب بسیار حائز اهمیت است. در این پایان نامه نانوساختارهای سلنید سرب را بر روی زیر لایه سیلیکن با استفاده از روش الکتروانباشت شیمیایی که روشی مطمئن و ارزان است، سنتز کرده ایم. همچنین خواص اپتیکی از جمله ضریب جذب و تغییرات ضریب شکست را در چاه پتانسیل سلنید سرب تحت فشارهای مختلف و میزان آلایش های مختلف شبیه سازی شده است. نتایج نشان می دهد ضریب شکست برای یک فرکانس خاص دچار تغییرات شدید می شود و ضریب جذب هم در این فرکانس مشخص به شدت افزایش می یابد. جذب این ماده در محدوده فرکانس های مادون قرمز می باشد. مشاهده می شود که با افزایش فشار اثرات غیر خطی در ضریب جذب به طور محسوسی افزایش می یابد. از این اثر می توان در کنترل اثرات غیر خطی در دستگاه ها استفاده کرد. در این پژوهش هم چنین تغییرات ضریب جذب در چاه پتانسیل کاتوره ای سلنید سرب بررسی شده است.