هدف این پایان نامه، رشد و مشخصه یابی خواص مغناطیسی نانوساختارهای سه لایه‎ای co/cu/co می‎باشد. از میان روش های متعدد رشد چندلایه‏ای‏ها، لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی در خلأ انتخاب شد. به منظور بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی سه لایه‏ای‏ها، لایه‎هایی با ضخامت‎های مختلف مس و کبالت تهیه شدند. برای مطالعه ساختار از طیف پراش اشعه ایکس (xrd) استفاده و ریخت‎شناسی سطح نمونه‎ها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی (fesem) انجام شد. همچنین بررسی خواص مغناطیسی نمونه‎ها با دستگاه مغناطیس سنج نمونه مرتعش (vsm) و مقاومت مغناطیسی نمونه‎ها به روش ون در پاو اندازه‎گیری شد. در نهایت برای محاسبه ناهمسانگردی مغناطیسی از قانون نزدیکی به اشباع استفاده شد. در طیف پراش اشعه ایکس مربوط به این نمونه‏ها قله پراش (111) ساختار مکعبی مرکز وجهی کبالت مشاهده شد. تصاویر fesemنمونه‎ها نشان داد که در نمونه‏های با ضخامت لایه مس ثابت، با افزایش ضخامت لایه کبالت ریخت شناسی سطح نمونه‏ها تغییر چندانی نمی‎کند و تمام نمونه‏ها دارای سطحی با دانه‏بندی یکنواخت متراکم و منسجم هستند. در سطح نمونه‎های با ضخامت لایه کبالت ثابت، با افزایش ضخامت لایه غیر مغناطیسی مس ابتدا ابعاد دانه‏ها افزایش، سپس با افزایش بیشتر ضخامت لایه مس ابعاد دانه‏ها کاهش پیدا کرد. نتایج اندازه‏گیری پسماند مغناطیسی لایه‏ها بیانگر این است که محور آسان نمونه‎ها در صفحه لایه قرار دارد. همچنین افزایش ضخامت لایه مغناطیسی کبالت افزایش مغناطیش اشباع و باقیمانده را به همراه داشت. در حالیکه، با افزایش ضخامت لایه جداساز مس، این مقادیر تغییر چندانی نمی‏کند. اندازه‎گیری‎های مقاومت مغناطیسی نمونه‎ها نشان داد که با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی کبالت مقادیر مقاومت مغناطیسی کاهش می‎یابد. همچنین با افزایش ضخامت لایه میانی و غیر مغناطیسی مس نیز باعث کاهش مقاومت مغناطیسی نمونه‎ها می‎شود. نتایج حاصل از محاسبات قانون نزدیکی به اشباع نشان داد که با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی کبالت، مقادیر ثابت ناهمسانگردی افزایش می‏یابد، این در حالی است که با افزایش ضخامت لایه غیر مغناطیسی و میانی مس مقادیر ثابت ناهمسانگردی ابتدا افزایش و سپس کاهش می‏یابند.