مطالعات روی نانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابششدید تراهرتز از اهمیت بالایی برخوردار است. علاوه بر مطالعات تجربی، اکثر خواصنانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابش تراهرتز به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به پیشرفت سریع پدیده تراهرتز توصیف نظری جفت شدگی الکترون فوتون امری ضروری است. کمیتی که به این منظور به طور معمول در درک ویژگی های نوری و الکترونی سیستم به کار برده می شود، تابع دی الکتریک می باشد. در اینجا، ما یک دستگاه گاز الکترونی دو بعدی با محدودیت فضایی عرضی را تحت اثر میدان مغناطیسی قوی و تابش شدید تراهرتز مورد بررسی قرار می دهیم، نوسان چگالی بار القایی با استفاده از اختلال وابسته به زمان محاسبه می شود. سپس تابع دی الکتریک را به دست آورده و مدهای مگنتو پلاسمون سیستم با استفاده از روش تقریب فاز کاتوره ای محاسبه می شوند. تابع دی الکتریک به دست آمده نشان می دهد که سیستم موردنظر به فرکانس و شدت میدان لیزر شدیداً وابسته است.