پوشش¬های نانو¬کریستالی نیکل- تنگستن از حمام واتز، توسط جریان مستقیم و پالس بر روی زیر لایه مسی رسوب الکتریکی داده شدند. پوشش¬دهی در چگالی جریان¬های 5/?،5/7 ،15،30،50 وma/cm2 70 در دو دمای 25 و?c50 انجام شد. آزمون پراش اشعه ایکس نشان داد که پوشش¬های حاصل محلول جامد تنگستن در نیکل است و اندازه دانه پوشش ها با افزایش دانسیته جریان افزایش می¬یابد. در دمای ?c25 اندازه دانه در حدود 2/14-7/22 نانومتر و در دمای ?c50 در حدود 9/15-25 نانومتر بدست آمد. درصد تنگستن پوشش با افزایش دانسیته جریان کاهش و با افزایش دما، افزایش می¬یابد. در دمای ?c25 با تغییر دانسیته جریان، درصد تنگستن در حدود 4-15 درصد اتمی و نانومتر و در دمای ?c50، درصد تنگستن در حدود 15-24 درصد اتمی بدست آمد. مشاهدات انجام شده نشان دادکه با افزایش دانسیته جریان، مورفولوژی رسوبات از گل کلمی در ناحیه پلاریزاسیون اکتیواسیون به گل کلمی تغییر شکل یافته در ناحیه پلاریزاسیون مختلط و در نهایت به هرمی در ناحیه پلاریزاسیون نفوذی تغییرکرد که نشان¬دهنده وابستگی شدید مورفولوژی به مناطق پلاریزاسیونی می¬باشد. با استفاده از جریان پالس، پوشش¬هایی با درصد تنگستن بالاتر و مورفولورژی یکنواخت¬تر و مقاومت به خوردگی بهتر به دست آمد. با تغییر ترکیب حمام پوشش¬دهی و حذف کلرید آمونیوم از حمام پوشش¬دهی، درصد تنگستن پوشش به شدت افزایش یافت و فاز آمورف بدست آمد. مکانیزم رسوب گذاری نیکل تنگستن با استفاده ازروش طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شد. مطابق با نتایج به¬دست آمده، مکانیزم رسوب¬گذاری نیکل- تنگستن با تغییر دانسیته جریان تغییر می¬کند. در دانسیته جریان¬های کم، مکانیزم احیای فیلم اکسیدی تنگستن و در دانسیته جریان¬های بالا مکانیزم تشکیل کمپلکس¬های چندتایی و نفوذ آن ها مرجح می¬باشد. مقاومت خوردگی پوشش¬های به دست آمده وابسته به مورفولوژی پوشش بوده و در ناحیه پلاریزاسیون مختلط در محیط 5/3% وزنی کلرید سدیم، بهترین مقاومت به خوردگی را نشان می¬دهند. از طرفی مشخص شد که قابلیت روئین شدن این پوشش¬ها در محیط 10 درصد حجمی اسید سولفوریک تابع درصد تنگستن پوشش است و این پوشش¬ها در اسیدسولفوریک 10 درصد حجمی فیلم روئین تشکیل دادند که در محدوده وسیعی پایدار ماند. ارزیابی سختی پوشش¬های نیکل- تنگستن نشان داد که سختی این پوشش¬ها تابع درصد تنگستن رسوبی می¬باشد و بیشترین سختی درحدود 514 ویکرز بدست آمد.