نقاط کوانتومی ، کریستالهای نیمه رسانا در اندازه نانو هستند که خواص فیزیکی و شیمیایی منحصر به فردی دارند. یکی از انواع نقاط کوانتومی که به دلیل غیر سمی بودن و تولید مقرون به صرفه اقتصادی در زمینه های فیزیکی، شیمیایی و بیولوژیکی مورد توجه قرار گرفته است، نقاط کوانتومی سیلیکون (siqd) هستند که به منظور بهبود خواصشان سطح آنها با مولکولهای مناسب پوشانده می شود. در این کار خواص هندسی، نوری و الکترونی نقاط کوانتومی سیلیکونی در حالت خالص و پس از پوشش دار شدن با مولکولهای مرکاپتو استیک اسید مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات حالت پایه و برانگیخته به ترتیب با روشهای dft/b3lyp و cis انجام شده و در کلیه محاسبات از مجموعه پایه 6-31g استفاده شده است. با توجه به نتایج بدست آمده، جذب مرکاپتو استیک اسید تغییر زیادی در ساختار هسته سیلیکونی ایجاد نمی کند. با جایگزینی اولین مولکول پوشش دهنده در سطح نقاط کوانتومی سیلیکون، گاف انرژی (hlg) و انرژیهای جذب و نشر کاهش می یابند، اما به دلیل اینکه در نقاط کوانتومی پوشش دار شده انتقالات الکترونی مربوط به جذب و نشر در لایه های داخلی اتقاق نمی افتد، خواص نوری این ذرات نسبت به افزایش تعداد مولکولهای پوشش دهنده حساسیت چشمگیری نشان نمی دهد. ویژگیهای نوری این نقاط کوانتومی به اندازه آنها نیز وابسته است. هنگامیکه اندازه نقطه کوانتومی افزایش می یابد، گاف انرژی کم می شود و طیفهای جذب و نشر به طول موجهای بلندتر منتقل می شوند و نیز با افزایش اندازه نقطه کوانتومی ، تاثیر مولکولهای پوشش دهنده در تغییر گاف انرژی، انرژی جذب و نشر کمتر نمایان می شود.