نیمه هادی ها از جمله موادی هستند که نانو ساختارهای آنها جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار گرفته اند. از جمله نیمه هادی ها می توان به کالکوزنیدهای فلزی همچون mns,cds,pbs و sns غیره اشاره نمود که از زمانی که در سطح میکرو نانو تهیه شده اند به طور گسترده مورد بررسی و استفاده قرار گرفته اند. سولفیدهای فلزی دارای باند گپ ( band gap) باریک می باشند که آن ها را کاندیدای مناسبی جهت استفاده در موارد فتوولتابیک و فنوکاتالسیت می نماید. تحقیق حاضر، ستنز قلع سولفید را به روش جریان پالسی بیان می کند که با استفاده از دستگاه شاتر و استفاده از نمک های سدیم تیوسولفات و قلع سولفید و محلول کلریدریک اسید در فشار نیتروژن اتمسفری انجام شده است. در این روش پارامترهای مختلف مانند جریان پالس، غلظت های سدیم تیو سولفات و قلع کلرید، دما، فرکانس تولید پالس و ph دخیل بودند که هر کدام به روش یک عامل در یک زمان بهینه سازی شدند. پس از آماده سازی، از رسوبات بدست آمده بررسی مورفولوژی، اندازه ذرات و تعیین فاز بلوری ذرات توسط دستگاه های tem,sem و xrd انجام گرفت. نتیجه این که برای بدست آوردن رسوبات به شکل نانو ساختارهای یکدست باید مقدار چگالی جریان پالس 7/66 ma/cm2 غلظت های سدیم تیوسولفات و قلع کلرید به ترتیب 6/0 و 03/0 مولار، دما در حدود 50 درجه سانتی گراد، فرکانس تولید پالس 9hz و ph محلول در حدود 2 باشد. در شرایط بهینه پارامترها، براساس بررسی semاندازه نانو ساختارهایی با قطری در حدود 50 تا nm 150 بدست آمد. بررسی طیف xrd نمونه نشان داد که فاز بلوری رسوبات بدست آمده به صورت اورتورمبیک می باشند براساس عکس های tem قطر نانو دندریت ها حدود 100 نانو متر بدست آمد با نتایج sem همخوانی داشت.