در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه هستند. تا کنون سلول hit یا "هتروجانکشن با بکارگیری لایه نازک ذاتی" که توسط کمپانی سانیو ارائه شده، بالاترین بازده و بهترین عملکرد را در میان سلول های سیلیکنی هتروجانکشن از آن خود کرده است. در این پایان نامه به توصیف ساختار و مواد سلول های خورشیدی سیلیکنی هتروجانکشن پرداخته و معادلات و پارامترهای مهم حاکم بر این ساختارها را بررسی می کنیم. پس از شرح اصول و پیکره بندی شبیه سازی این سلول ها، اقدام به بررسی تاثیر مهم ترین پارامترهای هندسی و فیزیکی یک سلول hit که در حوزه طراحی قابل کنترل باشد، کرده ایم تا مقادیر بهینه را برای هر یک از این پارامترها بدست آوریم. با استفاده از نرم افزار شبیه سازی afors-het (v 2.4.1) اثر پارامترهایی از قبیل ضخامت لایه ها، میزان ناخالصی لایه ها، تاثیرات لایه tco، چگالی ایرادات، مقاومت و دما را بر پارامترهای مهم سلول از قبیل چگالی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز، ضریب پُری، بازده تبدیل و بازده کوانتومی بررسی کرده ایم. در ادامه به منظور بهبود افت ff و بازده سلول hit در دماهای پایین (حدود صفر درجه سانتی گراد) دو پیشنهاد در جهت کاهش مقاومت پیوند بیس/امیتر ارائه شده و تاثیر مثبت پیشنهادات ارائه شده بر بهبود ff و بازده سلول به اثبات رسیده اند.