نام پژوهشگر: امیر راعی ثانی

مطالعه ی تغییرات حامل های آزاد تجمعی در اثر جانشانی al در لایه های نازک zno با استفاده از روش های اپتیکی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393
  امیر راعی ثانی   اصغر اسمعیلی

در این پایان نامه لایه های نازک al:zno با استفاده از روش سل-ژل تولید شده و ثابت های اپتیکی این لایه ها بر اساس چگالی آلومینیوم و با استفاده از بیضی نگاری مورد مطالعه قرار گرفتند. دلیل انجام این کار، نبود اطلاعات کافی درباره ی تغییرات چگالی حامل ها در لایه های نازک al:zno با آلایش بالا می باشد. بر اساس نتایج بدست آمده، چگالی حامل های آزاد لایه های نازک، با افزایش تجمع آلومینیوم، افزایش یافت. کاهش ثابت دی الکتریک با افزایش تجمع آلومینیوم در ناحیه ی ماوراء بنفش، افزایش حالت های جایگزیده و بنابراین افزایش چگالی حامل های آزاد را نشان می دهد. علاوه بر این ضریب شکست لایه ی نازک با مقدار آلایش بالا بیش از ضریب شکست سایر نمونه ها در ناحیه ی مروی می باشد که این امر می تواند نتیجه ی افزایش حامل های آزاد باشد.