فناوری ساخت آند لامپ تولید اشع? ایکس در انحصار تعداد محدودی از شرکت های فعال در کشورهای پیشرفته است و با وجود تحریم های روزافزون صنعتی کشور، احتمال نیاز مراکز پزشکی به عنوان کاربران اصلی این نوع لامپ ها در کوتاه مدت وجود خواهد داشت. یکی از روش های قابل انجام و اقتصادی ساخت قطعه مورد نظر، اعمال پوشش تنگستن بر زیر لای? مولیبدنی به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری (aps) است. لیکن از آنجا که این روش تراکم مورد نیاز برای کاربرد لامپ را فراهم نمی کند، لازم است پس از اعمال پوشش، عملیات تکمیلی به منظور افزایش تراکم روی آن صورت بپذیرد. در این تحقیق ریزساختار پوشش های تنگستنی ایجاد شده به روش aps مطالعه شده است. ریزساختار و محتوای اکسیژن پوشش های ایجاد شده قبل و بعد از عملیات تکمیلی توسط میکروسکوپ های نوری (om) و الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ترکیب شیمیایی و فازی پوشش، توسط طیف سنجی پراکندگی انرژی (eds) و آنالیز پراش پرتو ایکس (xrd) مطالعه گردید. نتایج نشان دهند? آن بود که عملیات پرس ایزواستاتیک در فروریختن تخلخل ها و عملیات آنیل تحت خلاء و آنیل تحت هیدروژن در کاهش محتوای اکسیژن تاثیرگذار است. مشخص شد که محتوای اکسیژن بعد از آنیل کاهش چشم گیری داشته است. همچنین با انجام عملیات پرس ایزواستاتیک تخلخل پوشش از حدود 23 درصد به 7 درصد حجمی کاهش می یابد. این نتایج نشان داد که عملیات آنیل و پرس ایزواستاتیک برای بهبود کیفیت پوشش های تنگستنی مناسب و در مقایسه با سایر روش های پاشش پلاسمایی، ارزان تر و راحت تر می باشد. با اعمال لای? نازکی از تنگستن به روش رسوب فیزیکی بخار (pvd) زبری سطح کاهش یافت و پتانسیل نشر الکترونی صفحات سطحی بهبود یافت.