هدف ما در این پایان نامه ارائه راهکارهایی جهت بهبود عملکرد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا1 مبتنی بر گالیوم نیترید است. این پایان نامه در فصل های زیر تنظیم گردیده است: در فصل اول چالش ها و کاربردهای این افزاره ها مطرح شده است. در فصل دوم نحوه عملکرد ادوات با پیوند ناهمگون تشریح گردیده است و در فصل سوم نیمه هادی گالیوم نیترید از لحاظ فیزیکی مورد مطالعه قرار گرفته است. در فصل چهارم اصول عملکردی ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا و ساختار آن و همچنین اثرات خودگرمایی در این افزاره ها مورد بررسی قرار گرفته است. در فصل پنجم تاریخچه ای از ساختارهای پیشنهادی در زمینه این افزاره ها و نتایج حاصل از آن ها آورده شده است. در فصل ششم تکنیک های پیشنهادی و نتایج حاصل از شبیه سازی به منظور بهبود عملکرد این افزاره ها ارائه شده است و در فصل هفتم نتیجه گیری و پیشنهاداتی برای ادامه کار آورده شده است.