سلول خورشیدی مبتنی بر پیوند ناهمگون اکسید مس و اکسید روی azo مورد بررسی واقع گشت. اکسید مس به عنوان لایه ی جاذب این قطعه به روش کند و پاش لایه نشانی گردید. اندازه گیری های الکتریکی و نوری بر لایه های ایجاد شده صورت پذیرفت و ترکیبات مختلف اکسید مس با توجه به فشار جزیی اکسیژن محفظه ی لایه نشانی تفکیک گشت. لایه های به دست آمده مقاومتی در حدود 1 اهم سانتیمتر برای اکسید مس cu2o و 10 میلی اهم سانتیمتر برای اکسید مس cuo را دارا می باشند. نمودار ضریب جذب نمونه های cuo و cu2o ترسیم گردید و نوع جذب ماده ی cuo جذب مستقیم با گاف انرژی 1.7 الکترون ولت را به نمایش گذاشت. لایه اکسید روی به روش کند و پاش لایه نشانی گردیدو پیوند اکسید مس و اکسید روی مورد بررسی واقع شد. قطعات ساخته شده از پیوند اکسید مس cuo با ضخامت 800 نانومتر و اکسید روی azo با ضخامت 200 نانومتر بهترین عملکرد را نشان داده و مقادیر مقاومتی سری و موازی مناسب را نتیجه داد.