نام پژوهشگر: مهدی محمدخانی
مهدی محمدخانی سهیلا کرباسی
افزوده شدن روزانه بیش از یک میلیون صفحه به اطلاعات موجود در اینترنت به تنهایی نشان دهنده این است که در عصر کنونی ما با کمبود اطلاعات مواجه نیستیم بلکه با فقر دانش روبرو هستیم زیرا کشف دانش و آگاهی سودمند که مستتر در انبوه داده هاست روز بروز مشکل تر و پرهزینه تر می شود. و به طبع آن جستجو برای کاربران نیز فقط با صرف هزینه بیشتر امکانپذیر است.در این پایان نامه ما قصد داریم با بررسی روشهای موجود در خوشه بندی داده هایی که در حقیقت همان نتایج حاصل از جستجوی کاربران در وب هستند ،نقاط ضعف آنها را بیابیم .با انجام آزمایشات با داده های متنوع و در محیط های مختلف به این درک رسیدیم که در خوشه بندی داده های کاربر، کیفیت نتایج بدست آمده از الگوریتم مرسوم خوشه بندی k-means بسیار متغیر بوده و این می تواند از جمله مهمترین دلایل پرهزینه شدن جستجو در اینترنت باشد .به منظور حل این مشکل از الگوریتم های فرا ابتکاری و هوشمند در این زمینه کمک گرفتیم که با توجه به معایب الگوریتم k-means مناسبترین الگوریتم برای جایگزین نمودن ،الگوریتم بهینه سازی ازدحام ذرات بود.اما از آنجا که اینکار در عمل در نرم افزارهای داده کاوی تا کنون صورت نگرفته بود جهت انجام آزمایش و بررسی نتیجه میبایست ابتدا پیاده سازی کد الگوریتم پیشنهادی را با استفاده از مفاهیم نرم افزارهای متن باز تهیه و آنرا به نرم افزار مورد آزمایش وارد کنیم. با انجام دادن این اقدامات و ارزیابی نتایج حاصل دریافتیم که الگوریتم پیشنهادی خوشه های مناسبتر و پایدارتری تولید میکند که در نتیجه می توان در زمان جستجو نتایج ارزنده تری را به کاربر ارائه دهیم و هزینه جستجو را کاهش دهیم. و دستاورد ما علاوه بر کیفیت نتایج جستجو تولید شده ، در قدم بعد با توجه به سابقه و علایق کاربر به زمینه های مختلف ، رسیدن به یک سیستم توصیه گر فیدبک دار جهت تعیین احتمال حرکت بعدی کاربر و ارائه پیشنهاد به آن خواهد بود.
مهدی محمدخانی وحید ناصحی فر
این پژوهش با ارائه مدلی تلاش کرده است عوامل موثر بر پذیرش روشهای گمرک الکترونیک را در شرکتهای ترخیص کار که مجری امور گمرکی هستند،¬ بررسی کند. بدین منظور مدلی با 6 متغیر که در دو دسته سودمندی درک شده(افزایش درآمدها و کاهش هزینه¬ها،¬ مزیت نسبی و زمان صرفه جویی شده) و سهولت استفاده درک شده( پیچیدگی، امنیت داده ها و قابلیت اطمینان) ارائه شده است. در فصل دوم این به بررسی ادبیات تحقیق پرداخته و با ارائه مدل¬های پذیرش تکنولوژی جدید، مدل¬های پذیرش تجارت الکترونیک،¬ و توضیحاتی در مورد گمرک به بیان چهارچوب نظری پژوهش می¬پردازد.به منظور جمع آوری داده ها پرسشنامه ای با 24 سوال در شرکتهای ترخیص کار تهران توزیع شده است و تعداد 136 پرسشنامه مورد تحلیل قرار گرفته است. جهت بررسی نرمال بودن داده ها از آزمون کولموگروف-اسمیرنوف، جهت بررسی روابط بین متغیرها از ضریب همبستگی و معادلات ساختاری و جهت اولویت بندی متغیرها از آزمون فریدمن استفاده شده است. نتایج این تحقیق حاکی از آن است که هر 6 متغیر بر پذیرش گمرک الکترونیک در شرکت¬های ترخیص کار موثر است. از میان این 6 متغیر، متغیر پیچیدگی دارای اثر معکوس بر پذیرش تشخیص داده شد. از نظر اهمیت نیز ابتدا متغیر افزایش درآمدها و کاهش هزینه¬ها، سپس مزیت نسبی، پیچیدگی، زمان صرفه جویی شده، قابلیت اطمینان و امنیت قرار دارند.
مهدی محمدخانی احمد محدث کسایی
رشد لایه های رونشستی gaas برای اولین بار در ایران با رونشستی پرتو مولکولی mbe انجام شد. این لایه ها عموما" با نرخ یک میکرون در ساعت و با ناخالصی سیلیسیم بر زیرلایه های gaas(001) رشد داده شده است . کیفیت بلوری لایه ها همزمان با انجام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پر انرژی (rheed) تحت مراقبت قرار می گرفت . توسط توزیع نگار خازن - ولتاژ الکتروشیمیایی (ecvp) توزیع چگالی ناخالصی در عمق و نیز ضخامت لایه ها کنترل شد و با آزمایش اثر هال در دمای اتاق و دمای جوش نیتروژن مایع، قابلیت تحرک و میزان ناخالصی لایه ها و ضریب جبران سازی حاملها بدست آمد که با مقادیر گزارش شده قابل مقایسه بود. با تغییر دادن چگالی ناخالصی، رفتار سیلیسیم در gaas مشاهده و شرایط رشد تکرارپذیر و مناسب تدوین شد. وابستگی میزان شرکت ناخالصی(سیلیسیم) به فشار آرسنیک نیز مورد مطالعه قرار گرفت . با ثابت نگاه داشتن شار سیلیسیم و افزایش شار آرسنیک نسبت به شار گالیم، چگالی حاملهای الکتریکی افزایش یافت . همچنین اثر افزودن ایندیوم به صورت یک ناخالصی بر قابلیت تحرک و مقاومت مخصوص لایه ها بررسی شد. با افزودن ایندیوم از مرتبه 100ppm قابلیت تحرک حاملهای بار همزمان با چگالی آنها افزایش یافت که نشان دهنده کاهش نواقص بلوری و کاهش جبران سازی حاملها بود. به این ترتیب ، شرایط مناسب برای رشد خوب و تکرارپذیر لایه های رونشستی gaas نوع n روی زیرلایه های gaas(001) به دست آمد.