در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی و ترکیب مواد بروشهای rbs, xrd و sem روی لایه ژرمانیوم نمونه های مختلف انجام شده است . علاوه بر آنالیز ساختاری، اندازه گیری پارامترهای الکتریکی نظر هدایت الکتریکی و وابستگی حرارتی آن، تحرک حاملها و تراکم حاملها در نمونه های مختلف ژرمانیوم انجام گردیده اند. با بهبود در ساختار فیزیکی لایه ژرمانیوم که به روش کریستالی کردن با کمک یک لایه بسیار نازک مس صورت گرفته است ، خواص الکتریکی آن نیز بهتر شده است . بطوریکه مقدار تحرک حاملها تا 98cm2/vs افزایش یافته است . همچنین در ادامه برای بررسی چگونگی ساختار لایه های سیلیکونی که روی بستر شیشه ای لایه نشانی می شوند و نیز برای بهبود ساختار کریستالی آنها در دماهای کم، آزمایشاتی صورت گرفته است . این آزمایشاتئ به ابداع روش هایی برای کریستالی کردن لایه های بی شکل سیلیکون روی بستر شیشه معمولی تا دمای 400 درجه سلسیوس منجر شده است .