با توجه به گسترش روز به روز صنایع الکترونیک و میکروالکترونیک، نیاز به دفع حرارت از ادوات تولید کننده شار حرارتی بالا، به عنوان یکی از موضوعات بسیار مهم در مسیر توسعه صنایع الکترونیک و میکروالکترونیک مطرح بوده است. با توجه به این موضوع در پایان نامه حاضر به بررسی دو راهکار جهت خنک کاری صنایع الکترونیک پرداخته شده است. راهکار اول به بررسی تاثیر قرارگیری ریب و ارتفاع آن در افزایش انتقال حرارت پرداخته و اثرات پارامتر¬های عدد رینولدز، ارتفاع ریب و شار حرارتی دیواره بر ضریب انتقال حرارت مورد مطالعه گرفته است. همچنین تاثیر این پارامتر¬ها بر انتروپی تولیدی به سبب اصطکاک سیال، انتقال حرارت و مجموع این دو یعنی انتروپی تولیدی کل مورد بررسی قرار گرفته و ارتفاع ریب بهینه با توجه شرایط مختلف جریان با معیار کمترین میزان انتروپی تولیدی کل ارائه شده است. در راهکار دوم به بررسی جریان نانوسیال به عنوان مخلوط ذرات نانو و سیال پایه پرداخته شده و اثرات عدد رینولدز و درصد حجمی ذرات نانو بر روند انتقال حرارت مورد مطالعه قرار گرفته است. همچنین بررسی نتایج بین روش مدلسازی تک فاز با روش دو فاز انجام شده و نتایج حاصله با هم مقایسه شده¬اند. تاثیر عدد رینولدز و درصد حجمی ذرات نانو بر انتروپی تولیدی به سبب اصطکاک سیال و انتروپی تولیدی به سبب انتقال حرارت و جمع این دو یعنی انتروپی تولیدی کل مورد بررسی قرار گرفته و شرایط بهینه جریان با توجه به معیار کمترین میزان انتروپی تولیدی کل ارائه شده است. د