لایه منیزیم فلوراید به دلیل خاصیت پاد بازتابندگی خود امروزه در صنایع اپتیکی و ساخت انواع لنزها با قابلیت پاد بازتابندگی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پروژه منیزیم فلوراید با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی تبخیر شده و بر روی زیرلایه ای از جنس شیشه قرار گرفته است. این فرایند در دماهای 300،200،100،30 درجه سانتی گراد انجام گرفته و سپس در هر یک از دماهای ذکر شده ضریب عبور و ضریب شکست لایه اندازه گیری شده و سپس در طول موج دلخواه 480 نانومتر ضریب شکست نزدیک به 1.37 بدست می آید. با توجه به نتایج بدست آمده نتیجه گرفته که ضریب شکست لایه منیزیوم فلوراید لایه نشانی شده توسط تکنیک تبخیر باریکه الکترونی در طول موج مشخص با افزایش دمای محیط لایه نشانی به صورت خطی افزایش می یابد.