حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در این پایانامه این فرایند به سه روش مختلف شبه پخت تنش کششی، جریانی و کوره ای در شرایط خلأ انجام شده است و اثر هر کدام ازآن ها بر روی امپدانس مغناطیسی بررسی و بهترین نمونه از لحاظ پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان پس از تایید نانوساختاری جهت استفاده در ساخت حسگر امپدانس مغناطیسی با المان حسگری نانوساختار استفاده شده است. نتایج این پژوهش نشان می دهد، از روش های مختلفی که برای بهینه سازی در گام نخست بررسی شد، پخت کوره ای در شرایط خلأ و شارش گاز آرگون، به دلیل تغییر فاز در نمونه ی آمورف و ایجاد نانوبلورک های سطحی موجب تاثیر مثبت بر خواص مغناطیسی نمونه شده و در نتیجه بهترین نسبت امپدانس مغناطیسی را ایجاد می کند. . طراحی و ساخت حسگر امپدانس مغناطیسی شامل سه گام است، در گام نخست، فرایند آماده سازی بر روی المان حسگری که قطعه ای از یک نوار مغناطیسی پایه کبالت است انجام می گیرد؛ در گام دوم، مدارهای الکترونیکی مربوط به بخش های مختلف حسگر به صورت جداگانه در نرم افزار شبیه سازی پروتئوس طراحی و پس از دریافت پاسخ مناسب، بر روی بردهای مخصوص پیاده شده اند. در گام نهایی پس از اتصال و همگام سازی بخش های مختلف، دو آزمون استاندارد بر روی حسگر انجام شده است. با استفاده از روش های ارائه شده در این پژوهش می توان به مفاهیم و روش طراحی و ساخت حسگرهای امپدانس مغناطیسی با المان حسگری نانوساختار و درک این حقیقت که ایجاد نانوبلورک های سطحی چه تاثیری در عملکرد این حسگر دارد پی برد.