در این پژوهش، نانوسیم¬های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحله¬ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره¬ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. برای هر ولتاژ نازک¬سازی 5 نمونه با شرایط الکتروانباشت، جریان ثابت 10 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10، 20، 30، 40 و 50 درجه سانتی گراد و دمای الکترولیت 30 درجه سانتی گراد تهیه گردید. تاثیر ولتاژ نازک سازی لایه سدی و دمای بستر روی راندمان الکتروانباشت و کیفیت نانوسیم¬های نیکل بوسیله¬ی آنالیزهای vsm و xrd مورد مطالعه قرار گرفت. در ولتاژ نازک سازی 8 ولت بدلیل نازک شدن بیش از حد لایه سدی نهشت مناسبی صورت نگرفته است. در ولتاژ نازک سازی12 ولت در دمای 20 درجه سانتی گراد بستر بهترین راندمان نهشت به دست آمد ولی با افزایش دما راندمان نهشت کاهش یافت. در ولتاژ نازک سازی 16 ولت نیز همین روند ادامه داشت، ولی یکنواختی نهشت نسبت به ولتاژ 12 ولت بهبود یافت. در ولتاژ نازک سازی 20 ولت بیشینه راندمان نسبت به ولتاژ 12ولت کمتر است ولی یکنواختی در نهشت نانوسیم-های نیکل افزایش یافته است. بنابراین برای دستیابی به بیشینه راندمان می¬توان از ولتاژ نازک سازی کمتر در دمای مشخص استفاده کرد، ولی برای یکنواختی بیشتر در نهشت نانوسیم¬ها می¬توان بدون دغدغه¬ی تغییرات دما در حین فرایند نهشت از ولتاژ نازک سازی 20 ولت استفاده کرد. البته ولتاژ نازک سازی 16 ولت بهترین گزینه کاربردی است زیرا هم بیشینه راندمان و هم یکنواختی نسبی را داراست.