طی مطالعات انجام شده، فیزیکدانان پی برده¬اند که پتانسیل شیمیایی با افزایش دما کاهش می-یابد. در نیمه هادی¬های معمولی که شرط ? << ef (ef انرژی فرمی و ? پارامتر شکاف است) برقرار است نیز این رفتار مشاهده می¬گردد، ولی در مواردی که این شرط برقرار نیست پتانسیل شیمیایی نزدیک دمای بحرانی (تقریبا برابر با 0/57?) با افزایش دما افزایش می¬یابد. در این رساله وابستگی دمایی پتانسیل شیمیایی با دما برای چند هسته مختلف (27si , 28si , 56fe , 57fe , 93mo , 94mo , 238u) به عنوان سیستم¬های فرمیونی برهم¬کنش کننده، با استفاده از نظریه bcs به دست می¬آید. برای انجام این کار برای هر هسته با تعداد پروتون و نوترون مشخص، با قرار¬دادن پارامتر گاف در دمای صفر، از معادله گاف قدرت برهم¬کنش،g، و از معادله تعداد ذرات ?(0) را بدست می¬آوریم. سپس در هر دمای دیگر،?(t) از حل همزمان معادله گاف و معادله تعداد ذرات بدست می¬آید. با مقایسه نمودارهای مربوطه رفتار پتانسیل شیمیایی بر حسب دما در دو فاز معمولی و ابررسانایی را بررسی می¬کنیم. همچنین رفتار انرژی و آنتروپی مورد مطالعه قرار گرفته است.