در این پایاننامه به کمک روشهای ماتریس انتقال و تابع گرین، در رهیافت بستگی قوی به مطالعهی رسانش الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن جملههای پرش الکترون بین همسایههای دوم پرداختهایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که در طیف رسانش یک زنجیرهی اتمی، پهنای ناحیهی تشدیدی کاهش یافته و یک گاف انرژی جدید ایجاد میگردد. باافزایش قدرت انرژی پرش الکترون با همسایههای دوم، ناحیهی تونلزنی افزایش مییابد و شاهد ظهور پدیدههای ضدتشدیدی هستیم. برسی رسانش یک زنجیرهی متناوب نشان میدهد که در تقریب همسایهی دوم، به دلیل وجود مسیرهای مختلف برای توابع موج الکترونی، ناحیهی گاف انرژی جابجا شده و پدیدهی فانو نیز رخ خواهد داد. همچنین این پدیدهها در طیف رسانش الکترونی بسپارهای پلیپارافنیلن در حضور جملههای پرش همسایههای دوم و سوم در حلقههای بنزن، قابل مشاهده است.