در این رساله لایه های نازک کربن – نیکل توسط دستگاه کندوپاش مغناطیسی با فرکانس رادیویی روی زیرلایه های شیشه و کوارتز انباشت می شوند. لایه های انباشت شده روی زیرلایه های شیشه تحت زمان های انباشت مختلف 50 تا 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند. لایه های انباشت شده روی کوارتز تحت زمانهای یکسان 600 ثانیه در دمای اتاق تهیه میشوند سپس در یک کوره تحت فشار اتمسفر در دماهای 300 تا 1000 درجه سانتیگراد بازپخت میشوند. توپوگرافی سطح و ساختار این دو گروه از لایه ها توسط پراکندگی به عقب رادرفورد (rbs) ، پراش اشعه ایکس(xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد مطالعه قرار میگیرد. این آنالیزها نشان میدهند که توپوگرافی سطح و ساختار این لایه ها تحت تاثیر زمان انباشت و دمای بازپخت قرار میگیرد. خواص اپتیکی لایه ها توسط روشهای سانوپول و مدل تک نوسانگر (wdd) مورد مطالعه قرار میگیرد. هدایت الکتریکی لایه های انباشت شده در زمانهای انباشت مختلف در گستره 15تا 500 کلوین مورو بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده از هدایت الکتریکی نشان میدهد که مکانیسم رسانش در گستره 400 تا 500 کلوین از نوع بین نواری و در گستره 15 تا 90 کلوین از نوع جهشی (vrh) است.