اکسیدروی نیمرسانایی با گاف انرژی مستقیم و پهن در حدود37/3 الکترون ولت می باشد که شفافیت قابل توجهی در ناحیه مرئیبا قابلیت تابش در نواحی نزدیک به فرابنفش راداراست. ساختار شبکه بلوری اکسیدروی،ورتزیت است و به همین علت دارای خواص الکترومکانیکی منحصر به فردی می باشد که ویژگی اصلی ساخت حسگر ها و مبدلهای پیزوالکتریک است. همچنین به دلیل غیر سمی بودن و سازگاری با بافت های زیستی امکان استفاده در تجهیزات پزشکی را نیز دارا است. سه دسته از مزیت هایی که در بالا ذکر شد باعث تبدیل شدن اکسیدروی به یک ماده کلیدی در تکنولوژی شده است. در چند سال اخیر توجه زیادی به نانوساختارهای اکسیدروی شده است، این ذرات قابلیت کاربرد در نانولیزر ها در دمای اتاق ، تبدیل به نیمرسانای نوع مثبت یا p و فرومغناطیسی در دمای اتاق برای استفاده در دستگاه هایی مانند دیود های نوری را دارا می باشند. آلایش اکسیدروی با عناصر دیگر، خواص جدیدی در ماده ایجاد می کند. لیتیم ، یکی از مهم ترین موادی می باشد که می تواند در ساختار اکسیدروی به عنوان ناخالصی استفاده گردد . در این پژوهش سعی بر آن شده با افزودن لیتیم به اکسیدروی ، خواص اپتیکی را بهبود بخشیده و با تغییر گاف انرژی خواص الکتریکی را تغییر داد. روش های متنوعی برای سنتز اکسیدروی وجود داشته که از میان آن ها روش سل –ژل، ساده،ارزانوکارآمدمی باشد. روشسل-ژلبرایتهیهلایهنازک،نانوپودر،ایروژل،سرامیکمتراکموغیرهمی توانداستفاده شود. در این بررسی، سنتز و مشخصه یابی لایه نازک اکسیدروی با ناخالصی لیتیم، صورت گرفته است که با توجه به نتایج بدست آمده از این ماده می توان آن را در وسایل پیزوالکتریکو فیلترهای نوری استفاده نمود.