منحنی مشخصه جریان نوری سلول ازطریق شبیه سازی بوسیله تابع گرین غیرتعادلی بدست آمد، با استفاده از نظریه فیزیکی تک ذره ای توانستیم پتانسیل فوتون تابشی بر روی همیلتون نانو لوله را با توجه به بر همکنش پتانسیل الکترومغناطیسی بدست آورده و میدان مغناطیسی تشعشع نوری در نظر گرفته شد. اثر اتصال با نواحی سورس و درین که نیمه هادی با ناخالصی زیاد می باشند، با استفاده از تابع سطحی گرین وفرمولهای انرژی خود بخودی محاسبه و سپس توان خروجی سلول به همراه چگالی حامل ها در کل سلول با دقت مناسبی محاسبه شد، اثرات تغییر طول بدنه سلول و تغییر زاویه تابشی خورشید بر منحنی مشخصه جریان نوری ودر پایان اثر تغییر ضخامت اکسید بر ماکزیمم بازده نوری،اثر تغییر دما بر جریان اتصال کوتاه،ولتاژمدار باز سلول ،جذب نوری سلول به همراه ضریب بازتاب نوری در طول موجهای مختلف تابشی بررسی شده است.