رشد سریع و نمایی مخابرات بی سیم ، منجر به احساس نیاز به محصولات بی سیم با هزینه پایین ، توان مصرفی کم و اندازه کوچک شده است. در حال حاضر جهت کلی حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی cmos برای ساخت اجزای rf سیستمهای بی سیم مانند تقویت کننده های کم نویز (lna) ، ضرب کننده ها (mixers) و اسیلاتورهای کنترل شونده با ولتاژ (vco) می باشد . مزیت چنین کاری استفاده از ظرفیت های عظیم ساخت تکنولوژی cmos در کنار فراهم آوردن امکان فشرده سازی بلوک های آنالوگ ، دیجیتال و rf یک سیستم مخابراتی بر روی یک تراشه واحد می باشد. در این میان ساخت یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (vco) با نویز فاز کم توجه فوق العاده زیادی را معطوف به خود نموده است چرا که نویز فاز اسیلاتور محلی یک سیستم مخابراتی یکی از مهمترین پارامترها در کیفیت اطلاعات منتقل شده می باشد. این قضیه به خصوص در مورد سیستم های ofdm که امروزه در بیشتر استانداردهای مخابرات بی سیم مورد استفاده قرار می گیرد، بیشتر خود را نشان می دهد. تحقیقات بسیار زیادی برای دریافتن ریشه های ایجاد نویز فاز صورت گرفته است اما به دو دلیل رسیدن به یک تحلیل کامل از دلایل ایجاد نویز فاز کار بسیار مشکلی می باشد: 1- عملکرد سیگنال بزرگ اسیلاتور و صادق نبودن مدل های سیگنال کوچک خطی برای المان های مورد استفاده در اسیلاتور. 2- ثابت نبودن فرآیند ایجاد نویز فاز در طول یک دوره تناوب نوسان. در این پایان نامه سعی خواهد شد تا ابتدا تئوری های مختلف موجود در مورد نویز فاز اسیلاتورهای cmos نوع lc به عنوان پرکاربردترین نوع اسیلاتور که امروزه در سیستم های مخابراتی مورد استفاده قرار می گیرد مورد بررسی جامع و مقایسه قرار گیرد و سپس اثر نویز ناحی? ترایود ترانزیستورهای زوج دیفرانسیل در ایجاد نویز فاز این اسیلاتورها که تا پیش از این نادیده گرفته می شد، معرفی گردد. به کمک این اثر مدل نویز فاز اسیلاتورهای cmos نوع lc کامل تر می شود و توجیه دقیق تر و صحیح تری برای عملکرد یکی از مهمترین روش های کاهش نویز فاز در آن ها ارائه می شود. به منظور نشان دادن صحت ادعاهای مطرح شده از یک اسیلاتور nmos در تکنولوژی ?m 18/0 با فرکانس مرکزی ghz 6/3 و توان مصرفی کمتر از mw 5 که با استفاده از نرم افزار agilent ads 2005a شبیه سازی شده است، استفاده می شود.