در دهه¬ی 1960، تقویت کننده¬های پارامتری یکی از موضوع¬های فعال در زمینه¬ی تقویت کننده¬ها بودند ولی با ظهور تقویت کننده¬های ترانزیستوری حضور این تقویت کننده¬ها کمرنگ گشت. امروزه با پیشرفت فناوری cmos، بار دیگر توجهات بسمت تقویت کننده¬های پارامتری جلب شده است. مبدل پارامتری، خود نوعی تقویت کننده¬ی پارامتری است که توسط یک منبع سیگنال بزرگ و یک منبع سیگنال کوچک تحریک می¬گردد. مبدل پارامتری براساس یک خازن غیرخطی عمل می¬نماید. خازن غیرخطی باعث ایجاد هارمونیک¬ها و ترم¬های اینترمدولاسیون در خروجی مبدل می¬گردد و با توجه به نیاز یکی از این ترم¬ها با استفاده از فیلتر از خروجی استخراج می¬شود. با افزایش تمایل به پردازش و انتقال اطلاعات زیاد با سرعت بیشتر، ناچار به استفاده از فرکانس¬های بالاتر هستیم. با افزایش فرکانس و بتبع آن کاهش طول موج، دیگر نمی¬توان از ابعاد ادوات الکترونیکی در برابر طول موج صرفنظر کرد و از روش¬های مداری فشرده بهره گرفت. برای تحلیل این نوع مدارات، روش¬هایی وجود دارند که برپایه¬ی روش¬های عددی استوار هستند. روش¬های شبه گسترده و گسترده از جمله¬ی این روش¬ها هستند که از تئوری fdtd در تحلیل سیستم کمک می¬گیرند. در این پایان نامه یک مبدل پارامتری پایین¬بر را که با دو منبع با فرکانس بالا تحریک شده است، بکمک روش¬های مختلف تحلیل می¬کنیم و نشان خواهیم داد که روش¬های مداری معمول، در تحلیل این سیستم ناکارآمد می¬باشد. در ادامه، مبدل پارامتری پایین¬بر با استفاده از روش¬های شبه گسترده و گسترده تحلیل می¬شود و نتایج بدست آمده با هم مقایسه می¬گردد. در نهایت نشان داده می¬شود که با جابجایی محل الکترودهای دیود بکار رفته در مبدل، نتایج چگونه تغییر می¬کند و در نتیجه در ملاحظات ساخت، برای گرفتن خروجی بهتر، کدام محل برای قرار دادن الکترودها مناسبتر است.